POSTER SUNUMLARI P01 YBCO Yığın

POSTER SUNUMLARI
P01
YBCO Yığın Üstüniletkeninde I-V Ölçümleri
A. Şentürk, T. Fırat, T. Öncü ve Ş. Özcan
Fizik Mühendisliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, Ankara
Bu çalışmada mevcut I-V ölçüm sistemi yeniden tasarımlanarak 77-300 K sıcaklık aralığında
YBCO yüksek sıcaklık üstüniletkeninin kritik akım değerleri bilgisayar kontrollü olarak
ölçülmüştür. Oda sıcaklığından sıvı azot sıcaklığına sıfır magnetik alan altında soğutulan örneklere
77 K’de 0 mA’den başlayarak 100 mA’e kadar 5’er mA’lik artışlarla akım uygulanarak gerilim
değerleri ölçülmüştür. 1 µV/cm kriteri esas alınarak yapılan hesaplamalar sonucunda üç farklı örnek
için kritik akım yoğunlukları Y1, Y2 ve Y3 örnekleri için sırası ile 37.5x103± 4x103 A/m2, 3.2x103±
0.5x103 A/m2 ve 40x103± 5x103 A/m2 olarak bulunmuştur.
P02
A Gas Discharge System With a Large Emitting Area of GaAs Cathode
B.G. Salamov*, Y.Öztekin Çiftci and K. Çolakoğlu
Physics Department, Faculty of Arts and Sciences, Gazi University, 06500 Beşevler, Ankara
*On leave from Physics Department, Baku State University, Baku 370145, Azerbaijan
The light emission (LE) in the UV and visible (blue) range generated by a gas discharge system
(PGDS) [1] and the possibility of locally increasing the gas-discharge LE for a given
photosensitivity of a GaAs semiconductor cathode has been studied. By using the IR light to excite
the semiconductor cathode of the system, we have shown that the uniform discharge LE of the
device with N2 in the gap can serve as a source of UV radiation with a large emitting area of GaAs
cathode (40-100 mm) if gas pressure and electric field are sufficiently high. The light source offer
narrow-band emission at various UV and visible wavelengths (330 ÷ 440 nm). In a system with
inserted metallic current concentrators [2] the local density of gas-discharge light exceeds the
density of uniform gas-discharge light in the ionization system as many times as the working area of
the semiconductor cathode exceeds the total area of the current concentrators. Thus, by analyzing
the optical emission from the plasma discharge with a similar bimetallic concentrator more
complete information can be obtained about the possibility of varying the intensity of the UV light
emitted by a discharge system, especially with its work as the discharge light source with the
prolonged period of service. The obtained electrical characteristics of ionization system with
metallic concentrator and the comparison of the discharge photographs show that the system
possesses the noticeably larger sensitivity of gas amplification coefficient according to the power,
without the loss of resolution. Since the current is concentrated in the metallic patches, the source of
the loss of resolution i.e., electron scattering with the flight between the discharge electrodes
disappears. The filamentation was primarily due to the formation of a space charge of positive ions
in the discharge gap which changed the discharge from the Townsend to the glow type [3]. Special
features of glow discharge LE render it highly promising for the development of light sources with
a large area of the emitting surface, high spatial uniformity of UV radiation, and fast dynamics of
these devices. The photochemical processing potential of these devices has been recognised and
various groups are investigating their use in a variety of environmental and industrial situations.
The applications of UV light sources with a large area of the emitting surface have also been
demonstrated in surface modification, photo-degradation, in the microstructuring of large area
polymer surface [4] and for initiating the photo-polymerization processes because of very rapid
polymerization at ambient temperature [5].
Acknowledgement: This work is supported by DPT2001 K120590 and Gazi University AFP
Research Project 05/2003-43,66.
[1] L.M. Portsel, Y.A. Astrov, I.Reimann, E.Ammelt, H.-G.Purwins, J.Appl.Phys. 85, (8) 3960
(1999).
[2] B.G. Salamov, M. Özer, M. Kasap, Ş. Altındal, J. Phys. D: Appl. Phys. 32, 682 (1999).
[3] B.G. Salamov, Ş. Ellialtıoglu, B.G. Akinoglu, N.N. Lebedeva, J. Phys. D 29,628 (1996).
[4] U. Kogelschatz, H. Esrom, J.Y. Zhang, I.W. Boyd, Appl. Surf. Sci. 168, 29 (2000).
[5] A. El-Habachi, W.H. Shi and M. Ciocca, Plasma Sources Sci. Technol. 6, 468 (1997).
P03
Üç Çekirdekli Schiff Bazlı Metal Komplekslerinin Yapısal Özellikleri
B. M. Ateş, O. Atakol, İ. Ercan, A. Gencer, F. Ercan
Fizik Mühendisliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, Ankara
Schiff Bazları ve türevlerinin geçiş metali içeren bileşiklerinin fiziksel ve kimyasal özellikleri son
on yıldır yoğun bir şekilde çalışılmaktadır. Schiff Bazları diğer bir adıyla SALPD2- (N,N’bis(salisiliden)-1,3-propandiaminato) ligandı farmolojik öneme sahip olup bunların geçiş metali
içeren kompleksleri antibakteriyel etki gösteren ilaçların yapımında kullanılmaktadır. SALPD2ligandının homo- veya hetero- bir, iki, üç, dört ve çok çekirdekli geçiş metal kompleksleri magnetik
özellikleri açısından ilginçtir. İkili veya üçlü oksijen köprülerinden oluşan bu tür bileşiklerdeki
metal iyonları diamagnetik oksijen atomları üzerinden süper değiş-tokuş mekanizmasına göre
etkileşirler. Metaller arasındaki μ-köprülerinin cinsi ve metal…metal arası mesafe hem etkileşme
türünü, hem de yapıların kristalografik özelliklerini değiştirmektedir.
Bu çalışmada
(1) [C42H50CuN6Ni2O11], Bis{(N,N’-dimetilformamid)(μ-formato)[μ-bis(salisiliden)- 1,3propandiaminato]nikel(II)}bakır(II)
(2) [C42H50N6Ni2O11Zn], Bis{(N,N’-dimetilformamid)(μ-formato)[μ-bis(salisiliden)-1,3propandiaminato]nikel(II)}çinko(II)
(3) [C42H52N6Ni3O10], {[(N,N’-dimetilformamid)(μ-N,N’-bis(2-hidroksibenzil)-1,3propandiaminato)-nikel(II)](μ-formato)}nikel(II)
(4) [C58H64N6Ni3O10], {[(N,N’-dimetilformamid)(μ-N,N’-bis(2-hidroksifenil-etil)-1,3propandiaminato)-nikel(II)](μ-benzoato)}nikel(II)
(5) [C46H64N6Ni3O10], {[(N,N’-dimetilformamid)(μ-N,N’-bis(2-hidroksibenzil)-2,2’-dimetil-1,3propandiaminato)-nikel(II)](μ-formato)}nikel(II)
olarak isimlendirilen beş adet homo- hetero- lineer üç çekirdekli metal kompleksleri yeralmaktadır.
Bu komplekslerden (3) ve (4) numaralı örneklerin ac magnetik duygunluklarının sıcaklıkla
değişimleri incelenerek bu iki örneğin paramagnetik özellik gösterdiği saptanmıştır.
P04
MgB2 Bileşiğinde Üstüniletkenlik
B. Kalkan, E. Güngör, M. Gürbüz, E. Özdaş,
Fizik Mühendisliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, Ankara
Bu çalışmada MgB2 fazı sentezlenerek, elektronik band yapısı ve durum yoğunluğu hesapları
yapılmıştır. Üstüniletken davranışın, Mg miktarına bağımlılığının anlaşılması için MgXB2 (0.7≤ x
≤1.3) stokiyometrisinde bir dizi örnek, klasik seramik hazırlama yöntemi kullanılarak, 1 ppm’ in
altında oksijen ve düşük nem oranına sahip eldivenli kutu içerisinde, özel olarak tasarlanmış
tantalum (Ta) hücrelerde hazırlanarak, başlangıç bileşiminin fiziksel özelliklere olan etkisi
araştırılmıştır. MgB2 fazının oluşumunda en önemli parametre ısıl işlem sırasında reaksiyon
ortamındaki Mg kısmi basıncıdır. Üstüniletkenlik geçiş sıcaklığı, Mg0.8B2 başlangıç bileşiminde
maksimum değerinde, 38.1K olarak gözlenmiştir. MgB2 fazının örgü parametreleri ise a =
3.0865(2) Å, c = 3.5237(3) Å olarak hesaplanmıştır.
Tabakalı bor fazlarında yapılan elektronik band yapı hesaplamaları bu sistemdeki üstüniletkenliğin
anlaşılması ve yeni bor fazlarının sentezi için oldukça yararlı öngörüler yapabilmektedir. BCS
teorisi üstüniletkenlik geçiş sıcaklığını, malzemedeki elektron-fonon etkileşimi temelinde belirler ve
elektron-fonon etkileşimi ise Fermi enerjisi civarındaki elektron durum yoğunluğu ile açıklanır. Bu
nedenle, MgB2’ ın elektronik band yapısının ve yerel Fermi enerjisi civarı durum yoğunluklarının
getirdiği bilgi önem taşır. DFT (Density Functional Theory) teorinin bakış açısında yapılan
hesaplamalarda, MgB2’ ın toplam elektron durum yoğunluğuna etkin katkının borun px,y
düzeylerinden olduğu anlaşılmıştır. Tabakalı bor bileşiklerine ait band yapısının Γ-A boyunca düz
ve iki katlı dejenere olduğu gözlenmiştir. Bu özellik, literatürde yerini almış hemen hemen tüm
borid fazlarda gözlenmektedir. Bu nedenle yapının üstüniletken davranışında, bor tabakalarındaki
tabaka içi elektron-fonon etkileşimi açısından sorumlu görünmektedir.
P05
GaInNAs Fabry-Perot Lazerlerin Kavite Uzunluğuna Bağlı Değişimi
E. Tıraş, C. J. Hepburn*, N. Balkan*
Fizik Mühendisliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, Ankara
*Optoelectronics Group, Dept. of ESE, University of Essex, Colchester, CO4 3SQ, UK
GaInNAs tek kuantum kuyulu Fabry-Perot tipi lazer örneklerin elektronik ve optik özellikleri
incelendi. Deneylerde aynı yapıya sahip fakat kavite uzunluğu L=600, 1000 ve 1600 μm olan
örnekler kullanıldı. Fotolüminesans, akım-ışıma şiddeti ve akım-gerilim karakteristikleri 77-300 K
sıcaklık aralığında yapıldı. Kazanç deneyleri ise oda sıcaklığında yapıldı. Elde edilen deneysel
sonuçlar literatür ile karşılaştırıldı.
P06
Eğimli Kuantum Kuyu Laserlerin Karakterizasyonu
E. Tıraş, D. Kotsifaki*, N. Balkan*
Fizik Mühendisliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, Ankara
*Optoelectronics Group, Dept. of ESE, University of Essex, Colchester, CO4 3SQ, UK
Bu çalışmada, GaAs/AlGaAs Fabry-Perot tipi ikili eğimli (graded) lazer örneklerin fabrikasyonu
yapıldı. Fotolüminesans, akım-ışıma şiddeti ve akım-gerilim karakteristikleri 77-300 K sıcaklık
aralığında incelendi. Bu ölçümler kullanılarak yasak enerji aralığı, kesilim (threshold) akımının
sıcaklığa bağlı değişimleri elde edildi. Lazer ışıma dalgaboyunun uygulanan elektrik alan ile
değişimi gözlendi. Elde edilen sonuçlar kuramsal Schrödinger ve Poisson denklemlerinin ortak
çözümleri ile karşılaştırıldı.
P07
5-Metil-3-fenil-1H-indol- 2-karbohidrazid’in Alkiliden/Sikloalkiliden Türevlerinin Kristal
Yapıları ve Kuantum Mekaniksel Hesaplamaları
F. B. Kaynak, S. Özbey
Fizik Mühendisliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, Ankara Bu
çalışmada yapısında indol çekirdeği bulunan fizyolojik ve farmasötik önemi olan iki bileşiğin yapısı
incelenmiştir. Birçok biyolojik, fizyolojik ve patalojik olaylarda önemli rol oynayan, insan beyninde
ve aynı zamanda retinada sentezlenen melatonin de yapısında indol sistemi bulundurmaktadır. İndol
heterosiklik sistemi içeren benziliden hidrazid artığı veya 4-tiyazolidinon çekirdeği içeren yapılarda
antikonvulsan, antibakteriyel ve antifungal aktivite saptanmıştir.
İndol türevlerinden olan 3-fenil-5-metil-N2-(1-metilpropiliden)-1H-indol-2-karbohidrazid ve 3fenil-5-metil-N2-siklopentiliden-1H-indol-2-karbohidrazid bileşiklerinin kristal ve molekül yapıları
X-ışınları kırınımı yöntemi ile belirlenmiştir. Konformasyonel davranış, sınır orbitalleri ve
elektrostatik özellikler Gaussian98w yazılımında yer alan PM3 yarı deneysel yöntemi ve ab initio
yöntemlerle RHF/6-31G(d) baz seti kullanılarak incelenmiştir. Moleküllerin sertliği (hardness) ve
Mulliken atomik yük dağılımları da hesaplanmıştır.
P08
N-Katkılı Çift Simetrik Ga1-X Alxas-Gaas Kuantum Kuyularının Elektronik Özellikleri
Üzerinde Engel Genişliğinin Etkisi
F. Ungan*, E. Özturk*, Y. Ergun*, İ. Sökmen**
*Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Cumhuriyet Üniversitesi, 58140 Sivas
**Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Dokuz Eylul Üniversitesi, İzmir
Bu çalışmada çift-simetrik kare kuantum kuyularında engel genişliğinin etkisini teorik olarak
araştırdık. Altband yapıyı elde etmek için Schrödinger ve Poisson denklemleri self-consistent (kendi
içinde tutarlı) olarak çözdük. Yapılan self-consistent hesaplamalardan, kuşatma potansiyelinin,
altband enerjilerinin ve altband yerleşimlerinin engel genişliğine bağlı olarak değiştiğini gördük.
P09
Sonsuz Kuantum Kuyusunda Bulunan Yabancı Atom Etkisindeki Elektrona Kuyu
Duvarlarının Etkisi
İ. Erdoğan
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Trakya Üniversitesi, Edirne
Sonsuz kuantum kuyusuna hapsedilen yabancı atom etkisindeki elektronun kuyu duvarları (enerji
duvarları) tarafından nasıl etkilendiğine bakılmıştır. Sonsuz kuyuda, enerji duvarlarının hapsedici
etkisi, self polarizasyon olarak ele alınmıştır. Temel ve birinci uyarılmış durumlarda self
polarizasyon yabancı atomun konumuna bağlı olarak hesaplanmıştır. İlgili Schrödinger denkleminin
çözümünde yaklaşık çözüm yöntemi olan varyasyon yöntemi kullanılmıştır.
P10
Sonsuz Kuantum Telinde Bulunan Yabancı Atom Etkisindeki Elektrona Tel Duvarlarının
Etkisi
İ. Erdoğan
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Trakya Üniversitesi, Edirne
Bu çalışmada sonsuz kuantum teline hapsedilen bir elektron incelenmiştir. Sonsuz kuantum teli
içinde hapsedilmiş elektrona yabancı atomun etkisinin nasıl olduğuna bakılmıştır. Sonsuz telde,
elektrik alanın yokluğunda, enerji duvarlarının hapsedici etkisi özellikle elektronun polarizasyonu,
self polarizasyon olarak ele alınmıştır. Self polarizasyon yabancı atomun konumuna bağlı olarak
temel ve birinci uyarılmış durumlar için hesaplanmıştır. İlgili Schrödinger denkleminin çözümünde
Bessel fonksiyonlarından faydalanılmış ve yaklaşık çözüm yöntemi olan varyasyon yöntemi
kullanılmıştır.
P11
Düzgün Elektrik Alan Gören Sonsuz Kuantum Telinde Hapsedilen Elektronun Airy
Çözümleri ve Elektriksel Polarizasyonu
İ. Erdoğan
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Trakya Üniversitesi, Edirne
Sonsuz telde elektrik alan gören elektronun polarizasyonu taban durumda beklenen değerleri
verirken, birinci uyarılmış durumda temel durumdakinin tam tersi yönünde bir polarizasyon
vermektedir. Elektrona ait Schrödinger denkleminin çözümünde Airy fonksiyonları kullanılmıştır.
Taban durumda Schrödinger denkleminin çözümleri klasik beklentilere uygun sonuçlar verirken,
uyarılmış durumlarda elektron beklentilerin tam tersi sonuçlar vermektedir. Yapılan çözümler tam
çözümdür.
P12
Kuvars Kristal Sensörlü Atomik Kuvvet Mikroskobu
K. Ürkmen1,2, M. Atabak1, M. Özdağ2 ve A. Oral1
1
2
Fizik Bolümü, Fen Fakültesi, Bilkent Üniversitesi, Ankara
NanoManyetik Bilimsel Cihazlar Sanayi ve Ticaret Ltd. Şti, ODTÜ-KOSGEB, Ankara
Atomik Kuvvet Mikroskopu yüzeylerin topografik özelliklerinin incelenmesinde sıkça kullanılan
önemli bir tekniktir. Atomik kuvvet mikroskobu ölçümleri, mikroskop iğnesi ile yüzey arasındaki
kuvvet etkileşimin ölçümüne dayanır. Taramalı tünelleme mikroskobu tekniğine göre en büyük
avantajı tünelleme özelliklerine dayanmadığı için yalıtkan malzemelerin ölçümlerininde bu teknik
kullanılarak alınabilmesidir. Atomik kuvvet mikroskobunda iğne ile yüzey arasındaki etkileşimi
ölçmenin yollarında birisi de, saatlerde bulunan Kuvars Kristallerin piezo elektrik özelliklerini
kullanmaktır. Ucuna sivri bir iğne yapıştırılmış olan bir kuvars kristal rezonans frekansında
titreştirilmektedir. Sivri uca etkiyen kuvvet ile titreşim genliği değişmekte ve bu değişim ölçülerek
10-9 N ölçeğine kadar kuvvet ölçümü yapılabilmektedir. Bu sayede oda koşullarında nanometre
seviyelerinde çözünürlükte yüzey görüntüsü alınabilmektedir. Ayrıca bu teknik yardımıyla oda
sıcaklığında ve düşük sıcaklıkta (77 K) çeşitli malzemelerin yüzeyleri görüntülenmeye başlanmıştır.
Bu sayede süper iletken malzemeler başta olmak üzere düşük sıcaklık fiziği ile ilgili diğer
malzemelerin tünelleme koşullarından bağımsız yüzey görüntüleri elde edilmektedir.
P13
Design and Construction of a Small Amplitude Atomic Force Microscope: Capable of
Investigating Lateral Forces
M. Atabak, G. Durkaya†, H. Ö. Özer‡ and A. Oral
Physics Department, Bilkent University, 06800 Ankara
†
NanoMagnetics Instruments Ltd. ODTÜ-KOSGEB, 06531 Ankara
Lateral forces play an important role in non-contact Atomic Force Microscope(nc-AFM) as well as
atomic manipulation. We present the design and performance of a nc-AFM which is capable of
measuring lateral forces simultaneously with the normal forces and tunneling current. We employ
two independent, high-sensitivity fiber interferometers1 located perpendicular to each other to
measure the normal and lateral forces on the cantilever, as shown in Figure 1. The cantilever is
dithered in normal and lateral directions with sub-Ångstrom oscillation amplitudes (A0 =0.25 Å) at
two different frequencies, well below the respective resonance frequencies, and the changes in
oscillation amplitudes are recorded using two lock-in amps. In addition, the microscope can
simultaneously operate as STM. Operating the microscope with sub-Ångstrom oscillation
amplitudes2 will allow us to obtain atomically resolved lateral force images and investigate effects
of lateral forces in imaging of normal mode nc-AFM. Design and construction of the microscope
will be described.
Figure.1 Dual interferometer nc-AFM for lateral-normal force measurements.
‡
Present Address: Department of Physics, Trinity College, Dublin 2, Ireland.
1
A. Oral, R. A. Grimble, H. Ö. Özer, P. M. Hoffmann, and J. B. Pethica, Appl. Phys. Lett. 79, 19151917 (2001)
2
H. Ö. Özer, M. Atabak and A. Oral, Apl. Surf. Sci. 210, 12-17 (2003)
P14
Yoğun Laser Alanı Altında Yarıiletkenlerdeki Optik Geçişler
M. Güneş, H. Sari, E. Kasapoğlu, İ. Sökmen*
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Cumhuriyet Üniversitesi, 58140 Sivas
*Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Dokuz Eylul Üniversitesi, İzmir
Kuantum tellerinde laser alanın bantlar arası optik geçişler ve eksiton bağlanma enerjisi üzerindeki
etkisi varyasyonel hesap tekniği ile etkin kütle çerçevesinde hesaplanmıştır. Yapılan hesaplamalar
sonucunda; kuantum tellerinin elektronik ve optik özellikleri ile eksitonik bağlanmanın laser alan ve
kuşatma potansiyelinin biçimine bağlı olduğu görülmüştür.
P15
Yüksek Sıcaklık Süperiletken İnce Film Hazırlanması ve Malzemelerinin Karakterizasyonu
N. Calınlı, T. Öncü, A. Ceylan, Ş. Özcan
Fizik Mühendisliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, Ankara
Bu çalışmada YBCO üstüniletken ince filmler Rf Sputtering yöntemi ile hazırlanarak
karakterizasyonu yapılmıştır. Hedef katıhal reaksiyonu yöntemi ile hazırlanan YBa2Cu3O7-x
üstüniletkenidir. Filmler 15-35 mTorr olan argon-oksijen ortamında oluşturulmuştur. X-Işınları
difraksiyonu yöntemi ile filmlerin c-yönelimli olduğu belirlenmiştir. Elektriksel direnç ölçümleri,
dört nokta tekniği ile AC-direnç-sıcaklık ölçüm sistemi kullanılarak yapılmıştır. B= 0G ve B= 95G
alanlarında kritik akım ölçümleri, DC Akım-Gerilim ölçüm sisteminde ardışık ısıtma ve soğutmalar
ile birlikte yapılmıştır.
P16
TlInSeS Tek Kristallerinde Sıcaklık ve Uyarma Yoğunluğuna Bağlı Fotoışıma
N.S. Yüksek1, N.M. Gasanly1, A. Aydınlı2
1
2
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Ankara
Fizik Bolümü, Fen Fakültesi, Bilkent Üniversitesi, Ankara
TlInSeS katmanlı kristallerinde 460-800 nm dalgaboyu ve 10 - 65 K sıcaklık aralığında fotoışıma
deneyleri incelendi. 10 K sıcaklıkta ve 7.5 W/cm2 uyarma yoğunluğunda merkezi 584 nm de (2.122
eV) olan geniş bir fotoışıma bandı gözlendi. Ayrıca bu çalışmada fotoışıma yoğunluğunun, 0.023 –
7.5 W/cm2 lazer güç yoğunluğu aralığında değişimi belirlendi. Fotoışıma bandının sıcaklık artışıyla
kırmızıya ve lazer yoğunluk artışıyla maviye kaydığı gözlendi. Fotoışımanın, iletkenlik bandının
0.243 eV altında derin verici seviyeden değerlik bandının 0.023 eV üstünde sığ alıcı seviyeye
geçişlerden kaynaklandığı saptanmıştır. İleri sürülen bu enerji-seviye çizelgesi rekombinasyon
sürecini yorumlamamıza olanak sağlamıştır.
P17
TlInS2 Katmanlı Kristallerinde Raman Modlarının Sıcaklığa Bağımlı Çizgi Kaymaları ve
Çizgi Genişlikleri.
N.S. Yüksek1, N.M. Gasanly1, A. Aydınlı2, H. Özkan1, V.M. Nağıev3, M. Caferova4
1
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Ankara
Fizik Bolümü, Fen Fakültesi, Bilkent Üniversitesi, Ankara
3
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Bakü Üniversitesi, Bakü, Azerbaycan
4
Fizik Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Bakü Petrol Akademisi, Bakü, Azerbaycan
2
TlInS2 katmanlı kristalinin sıcaklığa bağlı polarize olmayan Raman saçılması 10 ve 300 K sıcaklık
aralığında ölçüldü. Deneysel veriler, dalga sayısı ve çizgi genişliklerinin sıcaklıkla değişimlerinin
termal genleşme ve harmonik olmayan titreşimlerden kaynaklandığını göstermektedir. Anharmonik
katkının (fonon-fonon etkileşmesi) üç fonon sürecinden kaynaklandığı saptandı. Bu çalışma 280.9
ve 292.3 cm-1 dalga sayısında bulunan Raman modlarının sıcaklığın 10 K den 300 K ye artışı ile
daha yüksek dalga sayılarına doğru kaydıklarını göstermiştir.
P18
Isıl Uyarılmış Akım Metoduyla TlGaS2 Katmanlı Kristallerinde Sığ Tuzak Merkezleri Analizi
N.S. Yüksek, N.M. Gasanly, H. Özkan
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Ankara
Katkısız TlGaS2 tek kristallerde 10-60 K sıcaklık aralığında ısıl uyarılmış akımlar değişik ısıtma
hızları ile ölçüldü. Derinlikleri 6, 12 ve 26 meV olan tuzak merkezlerinin varlığına ilişkin deneysel
veriler elde edildi. Değişik analiz metotlarıyla hesaplanan tuzak parametrelerinin birbiriyle uyumlu
oldukları görüldü. Deneysel verilerin yavaş tuzaklanma modelinin kuramsal öngörüleriyle uyumlu
olması yeniden tuzaklanma sürecinin etkin olmadığını kanıtlamaktadır.
P19
?
Ö. Çakır
Fizik Mühendiliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Ankara Üniversitesi, Beşevler, Ankara
Ce1-xTbxMn2Ge2 İntermetalik bileşiği, hacim merkezli tetragonal ThCr2Si2 tipinde olup, uzay
grubu, I4/m m m dir. x= 0.1, 0.2, 0.5, 0.7, 0.75, 0.8, 0.85 değerleri için elde edilen örneklerin XIşını kırınım desenleri elde edilmiştir. Örneklerde mıknatıslanma ölçümlerini etkilemeyecek kadar
az miktarda yabancı faz görülmüştür. Elde edilen şiddet-2θ verilerine, Fullprof programı ile
Rietveld arıtımı uygulanarak, örneklerin örgü parametreleri bulunmuştur. Böylece magnetik
etkileşmelerde önemli rol oynayan örgü parametrelerinin ve birim hücre hacminin x
konsantrasyonuna bağlı olarak değişimi belirlenmiştir. Kristal yapıya Cerium (Ce) yerine Terbium
(Tb) girdikçe, birim hücre parametrelerinde Vegard yasasına uygun olarak lineer bir düşüş
gözlenmiştir. Bunun sebebi, Tb’un atomik çapının Ce’dan daha küçük olmasıdır.
Elde edilen örneklerin, 50 Oe’lik düşük magnetik alanda sıcaklığa bağlı, 5 K ile 350 K sıcaklık
aralığında alan soğutmalı ve alan soğutmasız DC magnetizasyon ölçümleri alınıp, mıknatıslanma
eğrilerinden magnetik yapı hakkında bilgi edinilmiştir. x= 0.1 ve 0.2 için örneklerin, CeMn2Ge2 saf
bileşiğine çok yakın ve magnetik yapının ferromagnetik olduğu gözlenmiştir. Ce alt örgüsüne ait
magnetik düzenlenme olmadığından , magnetik katkı sadece Mn alt örgüsüne ait magnetik
momentlerden gelir. a≥ 4.06 Å olan örneklerde Mn momentleri c- ekseni boyunca paralel olarak
düzenlenir. Nötron kırınım sonuçlarına göre (B.Malaman, R.Welter, G.Venturini, E.Ressouche,
J.Alloys Comp. 218 (1995) 204.), düzlem içi antiferromagnetizmanın commensurate ya da
incommensurate olmasına bağlı olarak sırasıyla eğik veya koniksel bir ferromagnetik yapıya sahip
olmalıdırlar. Ce1-xTbxMn2Ge2 bileşiğinde x= 0.1 ve 0.2 için olan örnekler, T<Tc sıcaklık
bölgesinde , Mn magnetik momentleri c ekseni ile yaklaşık 560’lik açı yaparak koniksel
ferromagnetik yapıyı oluşturur. a<4.04 Å olan örnekler için,(G.Venturini, B.Malaman,
E.Ressouche, J.Alloys Comp. 240 (1996) 139.) herhengi bir düzlem içi antiferromagnetik bileşen
yoktur. Bu örneklerdeki Mn momentleri TN(inter) sıcaklığının altında c-ekseni boyunca
antiferromagnetik olarak düzenlenirler. Ce1-xTbxMn2Ge2 bileşiğinde x≥0.5 için ise magnetik yapı,
düşük sıcaklıklarda ferrimagnetik olup, Tb alt örgüsüne ait magnetik momentler 100 K’nin altında
düzenlendiği için magnetizasyona katkıda bulunurlar ve Mn momentleri ile antiferromagnetik
olarak çiftlenip ferrimagnetik yapıyı oluştururlar. 100K’nin yukarısında magnetizasyona katkı
sadece Mn alt örgüsüne ait magnetik momentlerden gelir, Mn magnetik momentleri c ekseni
boyunca sıralanır ve düzlemler arası antiferromagnetik olarak çiftlenirler.
Ce1-xTbxMn2Ge2 bileşiğinde x,’in tüm değerleri için Curie sıcaklığının altında ZFC (Zero Field
Cooling) ve FC (Field Cooling) ölçümlerinde yarılmalar gözlenmiştir. Ancak Ce
konsantrasyonunun fazla olduğu örneklerde bu yarılmaların daha güçlü olduğu mıknstıslanma
eğrilerinde açıkça görünmüştür.
P20
Planar Yönelimli Nematik İnce Bir Filmin Yapımı
R. Karapınar, V. Erinç
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Yüzüncü Yıl Üniversitesi, 65080 Van
Düzgün yönelime sahip nematik sıvı kristal ince filmlerin yapımı ve bu tür filmlerin fiziksel
özelliklerinin incelenmesi, gösterge amaçlı olarak kullanılan çeşitli elektro-optik aygıtların
tasarımında oldukça öneme sahiptir. Nematik sıvı kristal bir madde her biri kendine özgü bir
düzenlenmeye sahip çok sayıda bölgecik içerir. Bu bölgeciklerin kırılma indislerindeki farklılıklar
nedeniyle, ortam bulutsu bir görünüm sergiler. Ancak ortam içinde uzun menzilli bir düzen elde
edebilmek için, tüm nematik moleküllerin aynı yönelime sahip olmaları gerekir. Nematik fazda
moleküllerin ortaklaşa tercih ettikleri yönelim doğrultusunu belirleyen n direktörünün konumu,
nematik maddenin etkileştiği yüzeylere uygun bir yüzey etkinlik işlemi uygulamakla kontrol
edilebilir. Bu amaçla kullanılan yöneltici levhalara sürtme işlemi uygulanırsa, sürtme işlemine
maruz kalan yüzeyler direktörün yüzey düzlemi üzerinde belirli bir doğrultu boyunca yönelimine
neden olurlar. Bu çalışmada sürtme yöntemi kullanılarak planar yönelimli ince nematik filmler elde
edildi. Farklı yönelim durumları polarize mikroskop altında incelendi. Moleküllerin yönelimine
neden olan fiziksel mekanizma tartışıldı.
P21
InSb Yarıiletken Bileşiğinin Hall Mobilitesinin İterative Method İle Hesaplanması
S. Aydoğu, Ö. Özbaş
Fizik Bölümü, Fen – Edebiyat Fakültesi, Osmangazi Üniversitesi, Eskişehir
InSb yarıiletken bileşiğinin taşınım parametreleri iterative metod ile incelendi. Materyalin Hall
mobilitesi, polar optik fonon, piezoelektrik, akustik deformasyon potansiyel ve safsızlık saçılma
mekanizmaları altında hesaplandı. Hall mobilitesinin hesaplanması için ilgili saçılma
mekanizmalarını kapsayan Boltzmann Taşınım Denklemi iterative metod ile çözüldü. Bulunan
değerler literatürdeki teorik ve deneysel sonuçlarla kıyaslandığında uyumlu olduğu görüldü.
P22
Sıcaklığın Bir Fonksiyonu Olarak Zn/P-Si Schottky Diyot Karakteristiklerinin İncelenmesi
Ş. Karataş1, Ş. Altındal2, M. Çakar1, A.Türüt3
1
Fizik Bölümü, Fen – Edebiyat Fakültesi Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi,
Kahramanmaraş
1
Kimya Bölümü, Fen – Edebiyat Fakültesi Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi,
Kahramanmaraş
2
Fizik Bölümü, Fen – Edebiyat Fakültesi, Gazi Üniversitesi, Ankara
3
Fizik Bölümü, Fen – Edebiyat Fakültesi, Atatürk Üniversitesi, Erzurum
Bu çalışmada (100) yönelimli, ρ≅100 Ω-cm özdirençli ve 635μm kalınlıklı p-tipi silisyum kristali
kullanılarak hazırlanan Zn/p-Si Schottky diyodunun deneysel akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj
(C-V) ölçüm sonuçları kullanılarak, diyodun idealite faktörü (n), potansiyel engel yüksekliği(ΦB),
seri direnç (Rs), difuzyon potansiyeli (Vd) ve akseptör yoğunluğu (Na) gibi temel elektriksel
parametreler sıcaklığın fonksiyonu olarak hesaplandı ve sonuçların literatür ile uyumluluğu
incelendi. Hem akım-voltaj (I-V) hem de kapasitans-voltaj (C-V) ölçüm metodundan elde edilen
elektriksel parametre değerlerinin birbirleriyle uyum içinde olduğu gözlendi. Diyodun üç temel
parametresi olan; idealite faktörü (n), potansiyel engel yüksekliği(ΦB) ve seri direncin (Rs) artan
sıcaklıkla mevcut literatüre uygun şekilde azalmakta olduğu gözlendi.
P23
Ardışık Isıl Çevrimlerin YBCO (123) Yığın Süperiletkeninde Transport Özelliklerine Etkisi
T. Öncü, A. Şentürk, B. Kaynar, Ş. Özcan, T. Fırat
Fizik Mühendisliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, Ankara
Yüksek sıcaklık süperiletkenleri seramik malzemeler olup hazırlanmaları esnasında çeşitli ısıl
işlemlere tabi tutulurlar. Bu nedenle yüksek sıcaklık süperiletkenleri sıcaklık değişimlerine karşı
çok hassastır. Uygulamalarda önemli olan kritik akım yoğunluğu, kritik manyetik alan gibi birçok
parametrenin değeri ardışık ısıl çevrimler sonucunda değişebilir.
Bu çalışmada ardışık ısıl çevrimlerin malzemenin transport özelliklerine etkisi araştırıldı. Standart
katı hal reaksiyonu ile hazırlanan Y1Ba2Cu3O7-x yığın süperiletkeninin kritik sıcaklığı AC dirençsıcaklık ölçüm sistemi kullanılarak ölçüldü. Yapılan ardışık akım-gerilim ölçümlerinin malzemenin
transport özelliklerine etkisini incelemek amacıyla DC akım-gerilim ölçüm sistemi
tasarlandı.Tasarlanan sistemde ısıtma ,soğutmalarla birlikte ardışık olarak akım-gerilim ölçümleri
sıfır alanda ve iki farklı manyetik alan değerinde ölçüldü.
Sıfır alanda yapılan ölçümlerde malzeme süperiletken durumda kaldı ve alınan ardışık ölçümler
hata sınırları içinde birbirine özdeş çıktı. Manyetik alanda yapılan ölçümlerde ise ardışık ölçümler
sonucu transport özelliklerinin kötüye gittiği gözlendi.
Malzeme oda sıcaklığında bir süre bekletilerek ölçümler tekrarlandığında alınan birinci ölçümlerin
hata sınırları içinde birbirine özdeş çıktığı gözlendi.
Sonuç olarak malzemenin maruz kaldığı ısıl işlemler ve magnetostriction’a bağlı olarak malzeme
içinde çatlaklar oluşmaktadır. Bu çatlaklar nedeniyle malzemenin süperiletkenlik özellikleri kötüye
gitmektedir. Sözü edilen çatlaklar malzeme oda sıcaklığına ısıtılıp orada bir süre (çatlakların
durumuna bağlı) bekletildiğinde kendiliğinden ortadan kalkmaktadır.
P24
Kuantum Tellerinde Donar Safsizlik Atomlarinin Magnetik Alan Altindaki Fotoiyonizasyon
Tesir Kesiti
U. Yeşilgül, H. Sari, E. Kasapoğlu, I. Sökmen*
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Cumhuriyet Üniversitesi, 58140 Sivas
*Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Dokuz Eylul Üniversitesi, İzmir
Bu çalışmada, bir boyutlu heteroyapılarda safsızlık atomlarının fotoiyonizasyon tesir kesiti ve
bağlanma enerjileri atomun konumuna ve manyetik alan siddetine bağlı olarak varyasyonel
yaklaşım kullanılarak hesaplanmıştır. Elde edilen sonuçlara gore, fotaiyonizasyon tesir kesiti ve
safsızlık atomunun bağlanma enerjisinin manyetik alana ve atomun konumuna oldukça duyarlı
olduğu gözlenmiştir.
P25
GaAs İle Oluşturulan Schottky Engelli MIS Yapılarda Parametrelerin Tayini
Y. Baş, M. Özer
Fizik Bölümü, Fen–Edebiyat Fakültesi, Gazi Üniversitesi, Ankara
Bu çalışmada, GaAs yarıiletken kristalin mat yüzeyinde metal(Au %88, Ge %12) buharlaştırma
metodu omik kontak oluşturuldu.Kristal oda şartlarında 100 saat bekletilerek oksit tabakası
büyütüldü ve yine metal(Au) buharlaştırma metodu ile parlak yüzeyde Schottky engeli oluşturuldu.
Bu şekılde Schottky engelli metal-yalıtkan-yarıiletken(MIS) yapılar hazırlandı. Bu yapıların akımgerilim ve sığa gerilim karekteristiklerini belirlemek için 150-375 K sıcaklık aralığında akımgerilim(I-V) ve sığa-gerilim(C-V) ölçümleri yapıldı. Ölçüm verilerinden faydalanılarak hazırlanan
MIS yapıların bazı elektronik parametreleri belirlendi. Oda sıcaklığındaki I-V ölçümlerinden
Schottky engel yüksekliği Φ(I-V) = 0,899 eV, C-V ölçümlerinden Φ(C-V) = 0,97 eV bulundu.
Engel yüksekliğinin sıcaklık azaldıkça arttığı ve sıcaklık sabitinin α = -1,69.10-3 eV/K mertebesinde
olduğu belirlendi.
P26
Mangan Dentritleri ve Difüzyon İle Sınırlı Kümeleşme Modeli
Z. Merdan, M. Bayırlı*
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Taşlıçiftlik,Tokat
*Sütlüce Mahallesi., Yılmaz Sokak, No:6, Bursa
Bu çalışmada, manyezit cevheri yüzeylerindeki mangan kümelerinin nasıl büyüyerek oluştuğu,
difüzyonla sınırlı kümeleşme (DLA) modeline göre simülasyonla elde edilmesi mümkün olan
kümelerle karşılaştırılarak, incelenmektedir. Bu amaçla manyezit cevheri numunelerinde oluşmuş
birbirinden farklı mangan kümelerinin görüntü tarayıcı ile resimleri elde edilerek bilgisayar
ortamına geçirilmektedir; bunlar kullanılarak her bir kümenin yoğunluk korelasyon fonksiyon
üsleri ve fraktal boyutları hesaplanmaktadır.
Kaynaklar:
1.Ben-Jacop, E., “From Snowflake Formation to Growth of Bacterial Colonies. Part I: Diffusive
Patterning in Azoic Systems”, Comtenporary Physics, 34: 247-273 (1993).
2.Witten, T. A., Sander, L. M., “Diffusion-Limited Aggregation a Kinetic Critical Phenomenon”,
Physical Review Letters, 47: 1400-1403 (1983).
3.Witten, T. A., Sander L. M., “Diffusion-Limited Aggregation”, Physical Review B, 27: 56865697 (1983).
4.Meakin, P., “Progress in DLA Research”, Physica D, 86: 104-112 (1995).
5.Meakin, P., “Formation of Fractal Clusters and Networks by Irreversible Diffusion–Limited
Aggregation”, Physical Review Letters, 51: 1119-1122 (1983).
6.Meakin, P., “Off-latice Simulations of Cluster-Cluster Aggregation In Dimensions 2-6”, Physics
Letters, 107A: 269-272 (1985).
7.Bayırlı, M., “İki Boyutlu Uzayda Tanecik Kümeleşmesinin İncelenmesi”, Doktora Tezi, G.Ü.
Fen Bilimleri Enstitüsü, Ankara, (2003).