elektronik laboratuarı - ı deneyleri

BÜLENT ECEVİT ÜNİVERSİTESİ
ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ
ELEKTRONİK LABORATUARI - I
DENEYLERİ
Dersin Sorumlusu
Yrd. Doç. Dr. Rukiye UZUN
1
BÜLENT ECEVİT ÜNİVERSİTESİ
ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ
ELEKTRONİK LABORATUARI-I
DENEY FÖYÜ
ZONGULDAK, 2016
2
LABORATUAR KURALLARI
1) Laboratuvara yiyecek ve içecek (su dahil) kesinlikle getirilmeyecektir.
2) Laboratuvar dersi sırasında cep telefonlarınızın kapalı yada sessiz
konumda olduğundan emin olunuz.
3) Deneye geç kalınmamalı, aksi halde 10 dakika geç kalan öğrenciler
devamsız sayılırlar.
4) Verimli bir çalışma ortamı sağlamak amacıyla alçak sesle konuşunuz.
5) Deneye gelen her bir öğrenci bütün deneylerden sorumludur.
6) Deneye gelirken deney malzemeleri tam olarak gelinmeli aksi takdirde
malzemeleri olmayanlar deneye alınmayacaktır.
7) Gruplar arasında malzeme alışverişi yapılmamalıdır.
8) Deney süresince izin almadan deneyden çıkılamaz.
9) Deneyde kullanılacak olan ölçü aleti, kablolar, kaynaklar, deney setleri
gibi ekipmanlar yerli yerinde kullanılmalı ve zarar verilmemelidir. Oluşan
problemlerde dersin sorumlularına danışılmalıdır.
10) Sağlam olmayan veya eksik bırakılan malzemeden ilgili masadaki öğrenci
grubu sorumludur.
11) Deneyde yapılan ölçümler görevli öğretim elemanına imzalatılacaktır.
Kesinlikle sonuçları göstermeden bir başka deneye geçilmeyecektir.
12) Raporlar bir sonraki hafta derste toplanacaktır. Her ne sebeple olursa
olsun raporu getirmeyenin notu sıfır olacaktır.
13) Deney sonunda deney masasındaki bütün elektriksel cihazların elektrik
bağlantısı kesilmeli, kablolar sökülerek yerlerine bırakılmalı, tabureler ve
masa düzenli ve temiz bir şekilde bırakılmalıdır. Aksi takdirde deney
sonuçları imzalanmayacaktır.
14) Raporunun tümü veya bir bölümü bir başka grubun raporunun tümü veya
bir bölümüyle aynı olamaz. Aksi durumda her iki rapor da kopya sayılacak
ve deneyde başarılı olmuş bile olsalar başarısız ve devamsız sayılacaklardır.
15) Geçerli bir sebebi yüzünden en çok iki deneyi kaçıran öğrenciler dönem
sonunda katılamadıkları deneyleri telafi ederler. (Telafi haftası )
16) İkiden fazla deneyi kaçıran öğrenciler sınıfta kalacaktır.
17) Öğrencinin gelmediği deneyde alacağı not “0” dır.
3
İçindekiler
LABORATUAR KURALLARI ........................................................................................................................ 3
DENEY 1 ................................................................................................................................................... 7
DİYOT KARAKTERİSTİĞİ ............................................................................................................................ 7
AMAÇ ................................................................................................................................................... 7
MALZEME LİSTESİ ................................................................................................................................ 7
AÇIKLAMA............................................................................................................................................ 7
DENEYDE YAPILACAKLAR ..................................................................................................................... 8
SORULAR.............................................................................................................................................. 9
DENEY 2 ................................................................................................................................................. 10
DOĞRULTUCU DEVRELER ...................................................................................................................... 10
AMAÇ ................................................................................................................................................. 10
MALZEME LİSTESİ .............................................................................................................................. 10
AÇIKLAMA.......................................................................................................................................... 10
DENEYDE YAPILACAKLAR ................................................................................................................... 11
SORULAR............................................................................................................................................ 12
DENEY 3 ................................................................................................................................................. 13
KIRPICI VE KENETLEYİCİ DEVRELER ........................................................................................................ 13
AMAÇ ................................................................................................................................................. 13
MALZEME LİSTESİ .............................................................................................................................. 13
AÇIKLAMA.......................................................................................................................................... 13
Kırpıcı Devreler .............................................................................................................................. 13
Kenetleyici Devreler ...................................................................................................................... 15
DENEYDE YAPILACAKLAR ................................................................................................................... 17
DENEY 4 ................................................................................................................................................. 19
TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ ............................................................................................................... 19
AMAÇ ................................................................................................................................................. 19
MALZEME LİSTESİ .............................................................................................................................. 19
AÇIKLAMA.......................................................................................................................................... 19
Transistörlerin Yapısı ..................................................................................................................... 19
Transistörün Giriş Karakteristiği .................................................................................................... 20
Transistörün Çıkış Karakteristiği .................................................................................................... 21
DENEYDE YAPILACAKLAR ................................................................................................................... 22
DENEY 5 ................................................................................................................................................. 24
4
BJT TRANSİSTÖR’ÜN DC ÖNGERİLİMLENMESİ ...................................................................................... 24
AMAÇ ................................................................................................................................................. 24
MALZEME LİSTESİ .............................................................................................................................. 24
AÇIKLAMA.......................................................................................................................................... 24
DC Polarma ve Çalışma Noktası ..................................................................................................... 24
En Fazla Kullanılan Transistör DC Polarma Devreleri .................................................................... 25
1-Sabit Beyz Polarlama Devresi ..................................................................................................... 25
2-Emiteri Kararlı Polarlama Devresi .............................................................................................. 25
3-Voltaj Bölücü Polarlama Devresi ................................................................................................ 26
4-Kollektör Geribeslemeli Polarlama Devresi ................................................................................ 26
DENEYDE YAPILACAKLAR ................................................................................................................... 27
DENEY 6 ................................................................................................................................................. 30
TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTECİN AC ANALİZİ ............................................................................................. 30
AMAÇ ................................................................................................................................................. 30
MALZEMELER..................................................................................................................................... 30
DENEYDE YAPILACAKLAR ................................................................................................................... 30
DENEY 7 ................................................................................................................................................. 34
JFET’ İN KARAKTERİSTİK EĞRİLERİNİN ELDE EDİLMESİ .......................................................................... 34
AMAÇ ................................................................................................................................................. 34
MALZEME LİSTESİ .............................................................................................................................. 34
AÇIKLAMA.......................................................................................................................................... 34
DENEYDE YAPILACAKLAR ................................................................................................................... 35
DENEY 8 ................................................................................................................................................. 37
JFETLİ YÜKSELTEÇLER ............................................................................................................................ 37
AMAÇ ................................................................................................................................................. 37
MALZEME LİSTESİ .............................................................................................................................. 37
AÇIKLAMA.......................................................................................................................................... 37
DENEYDE YAPILACAKLAR ................................................................................................................... 38
EKLER ..................................................................................................................................................... 40
1N4001 datasheet ............................................................................................................................. 40
2N2222 datasheet ............................................................................................................................. 41
2N2222A datasheet ........................................................................................................................... 42
BF245 datasheet ................................................................................................................................ 43
2N 3823datasheet ............................................................................................................................. 44
5
Ön Çalışma, Deney ve Rapor Hakkında Genel Bilgiler ve Formatları .................................................... 45
Kapak Formatı........................................................................................................................................ 46
Değerlendirme....................................................................................................................................... 47
6
DENEY 1
DİYOT KARAKTERİSTİĞİ
AMAÇ
Diyotun doğru ve ters polarma karakteristiğini incelemek.
MALZEME LİSTESİ
Diyot: 2 adet 1N4001 Silikon diyot ya da eşleniği
Direnç: 2 adet 1kΩ ve 470kΩ direnç
AÇIKLAMA
Diyot bir yönde akımı diğer yöne göre daha iyi ileten, yarı iletken bir malzemedir.
Diyot terminalleri arasındaki potansiyel fark, diyotun iletime geçip geçmeyeceğini belirler.
Eğer anot katoda göre daha pozitif ise, diyot akımı iletecektir ve bu durumda diyot doğru
kutuplanmış demektir. Eğer katod anoda göre daha pozitif ise diyot çok küçük bir sızıntı
akımının geçmesine izin verecektir ve bu durumda diyot ters kutuplanmış demektir.
Doğru-kutuplamada, tipik bir Silikon diyot üzerinde düşen gerilim yaklaşık 0.7V’ tur.
(Germanyum için ise gerilim düşümü 0.3V’ tur.) Bu eşik geriliminden daha düşük değerlerde,
diyot sadece küçük bir akımın geçmesine izin verir. Bu eşik gerilimi diyot karakteristik eğrisi
üzerinde büküm olarak adlandırılır. Çünkü bu bölgede diyot üzerinde düşen gerilimle diyottan
geçen akım değişmektedir.
Bu akım-gerilim ilişkisi aşağıdaki şekilde gözükmektedir:
Şekil-1 Diyotun I-V karakteristiği (Silisyum diyot)
7
DENEYDE YAPILACAKLAR
Şekil 3
Şekil 2
1) Şekil 2’ deki devrede E=5V ise ve diyot üzerindeki gerilim düşümü 0.7V olduğu
varsayılırsa R direncinin 1kΩ olması durumunda direncin üzerinden geçen akımı bulunuz.
Burada diyot nasıl gerilimlenmiştir? (Doğru, Ters)
2) Şekil 3’ deki devrede E=25V ise ve diyot üzerindeki gerilim düşümü 0.7V olduğu
varsayılırsa R direncinin 470kΩ olması durumunda direncin üzerinden geçen akımı bulunuz.
Burada diyot nasıl gerilimlenmiştir? (Doğru, Ters)
3) Şekil 2’ teki devreyi kurunuz, E gerilim kaynağını, diyot uçlarındaki Vd’ nin Tablo 1’
deki değerleri için ayarlayınız ve gerekli ölçüm bilgilerini tabloya kaydediniz.
Vd (Volt)
E (Volt)
Vr (Volt)
0
0.2
0.4
0.5
0.55
0.6
0.62
0.65
0.7
Tablo 1
8
I=Vr/R
4) Tablo 1’de elde ettiğiniz I ve Vd değerlerini kullanarak, diyodun I-V karakteristik
eğrisini çiziniz (milimetrik kağıt kullanın).
5) Şekil 3’ teki devreyi kurunuz, E gerilim kaynağını, diyot uçlarındaki Vd’ nin Tablo 2’
deki değerleri için ayarlayınız ve gerekli ölçüm bilgilerini tabloya kaydediniz (R=470kΩ
için).
Vd (Volt)
E (Volt)
Vr (Volt)
I=Vr/R
0
-5
-10
-15
-20
-25
Tablo 2
SORULAR
1. Diyot sızıntı akımı nedir? Açıklayınız.
2. İleri yön polarması altındaki bir diyotun aniden ters polarmalandırılması durumunda
kesime geçmesini engelleyen etki ne olabilir? Açıklayınız.
3. Farklı diyot kullanarak deneyi yapsaydık karakteristik eğrilerinde fark olur muydu?
9
DENEY 2
DOĞRULTUCU DEVRELER
AMAÇ
Yarım ve tam dalga doğrultucunun çalışmasını öğrenmek ve doğrultucu çıkışındaki
dalgalanmayı (ripple) azaltmak için kullanılan kondansatörün etkisini incelemek.
MALZEME LİSTESİ
Diyot: 6 adet 1N4001 Silikon diyot ya da eşleneği
Direnç: 2 adet 10kΩ, 2 adet 470Ω
Potansiyometre: 2 adet 10kΩ
Kondansatör: 1 adet 220μF ve 1 adet 0.1 μF
AÇIKLAMA
Yarım dalga ve tam dalga doğrultucular alternatif akımın (AC) doğru akıma (DC)
döndürülmesi işlemini gerçekleştiren devrelerdir. Bu işlem tek bir diyot ile mümkün
olabildiği gibi birden fazla diyotun belirli bir şekilde birbirine bağlanmasıyla da
yapılmaktadır. Basit bir yarım dalga doğrultucu ve tam dalga doğrultucu devresi Şekil 1 ve
Şekil 2’ de gösterilmektedir.
Şekil 1 Yarım dalga doğrultucu
10
Şekil 2 Basit tam dalga doğrultucu
Güç kaynaklarında en önemli nokta, doğrultulmuş çıkışın gerilim dalgalanmasını minimuma
indirmektir. Dalgalanmanın azalması amacıyla filtrelenme işlemi yapılır. En basit haliyle bir
filtre devresi doğrultucuya paralel olarak bağlanmış bir kondansatörden oluşur. Filtreleme
işlemine tabi tutulmuş işaretin tepe dalgalanma genliği:
ΔV =
𝑉𝑚
𝑓𝑅𝐶
Burada, R yük direncini, f frekans değerini, C kondansatör değerini ve Vm değeri giriş
işaretinin tepe değeridir. Oluşan DC işaretinin genliği:
𝑉𝑑𝑐 = 𝑉𝑚 (1 −
1
)
𝑓𝑅𝐶
Elde edilmiş doğrultulmuş işaretin dalgalılık faktörü:
𝐷𝑎𝑙𝑔𝑎𝑙𝑎𝑛𝑚𝑎 % =
1
2√3𝑓𝑅𝐶
∗ %100
DENEYDE YAPILACAKLAR
1. Aşağıdaki yarım dalga doğrultucu devresini kurunuz (R=10kΩ, e(t)= 10Vt-t- 1kHz
sinüs dalgası için)
Şekil 3
11
2. Osiloskobu DC konumuna alarak, e(t) giriş geriliminin tepe değerini ve VR(t) çıkış
gerilimini ölçünüz. Her iki dalga şeklini de çiziniz.
3. Şekil 3’deki diyodun terminallerini ters çevirip, işlem basamağı 2’yi tekrarlayınız.
4. Şekil 3’deki e(t) giriş işaretini 5 V kare dalga ile yer değiştiriniz. İşlem basamağı 2’yi
tekrarlayınız.
5. Şekil 4’ da verilen devreyi kurunuz (R= 10KΩ, e(t)=12V(tepeden tepeye), f=1 kHz)
ve osiloskobu DC konumuna alarak giriş gerilimini ve direnç üzerindeki gerilimi ölçünüz. Her
iki dalga şeklini çiziniz.
Şekil 4
6. Şekil 5’ daki devreye 220µF’ lık kondansatörü bağlayınız. Osiloskobu DC konumuna
alarak 10KΩ’ luk direnç üzerindeki dalga şeklini gözlemleyip, çiziniz. (R= 10KΩ,
e(t)=12V(tepeden tepeye), f=1 kHz).
Şekil 5
7. Şekil 5’ daki devreye ikinci 220µF’ lık kondansatörü paralel bağlayınız. Osiloskobu
DC konumuna alarak 10KΩ’ luk direnç üzerindeki dalga şeklini gözlemleyip, çiziniz.
SORULAR
1. Bir doğrultma devresinin çıkışındaki kapasitörün fonksiyonu nedir?
2. Dalgalılık faktörü ile kapasitörün sığası arasındaki ilişkiyi açıklayınız.
12
DENEY 3
KIRPICI VE KENETLEYİCİ DEVRELER
AMAÇ
Kırpıcı ve kenetleyici devrelerin incelenmesi ve çalışma prensibinin anlaşılması.
MALZEME LİSTESİ
Diyot: 2 adet 1N4001 Silikon diyot ya da eşleniği
Direnç: 2 adet 10kΩ, 2 adet 4.7KΩ, 1 adet 10MΩ, 1x100Ω
Kondansatör: 2 adet 470μF
AÇIKLAMA
Kırpıcı Devreler
Girişine uygulanan herhangi bir işaretin belirli bir gerilim seviyesinin üstünde ya da altında
kalan parçasını kırpan devrelere kırpıcı devreler denir. Bu devrele doğrultma devreleri,
koruma devreleri ve çeşitli dalga şekillendirme amacı ile kullanılan devrelerde kullanılır.
Şekil-1’de en basit bir kırpıcı devre görülmektedir.
Şekil 1
Şekil-1’de verilen devreden görüldüğü gibi çıkış sinyali, giriş sinyalinin sıfır volttan küçük
değerlerini kırpmak sureti ile elde edilmiştir. Kırpıcıların avantajlarından biriside burada
belirtilen referans seviyesinin yani kırpmanın olacağı seviyenin değiştirilebilmesidir. Yani
giriş sinyalinin istenilen bir voltaj seviyesinin altı veya üstü kırpılarak, çıkış voltajı elde
edilebilir. Bunu daha iyi anlamak için Şekil-2’ye bakalım. Bu devrede diyota seri bir DC güç
13
kaynağı bağlanmıştır. Böyle devrelerde, diyodun iletime geçebilmesi için anodun katoda göre
daha pozitif olması gerekir (VDC < Vm olmalıdır). Yani giriş sinyali, VDC değerini aştığı anda
diyot iletime geçer.
Şekil 2
Devre incelenirse diyotun anoduna DC kaynağın negatif ucunun bağlandığını, böylece
diyotun ters polarmalandırıldığı anlaşılır. Diyotun iletime geçebilmesi için anodunun
katoduna göre pozitif olması gereklidir. Bu olmadığı takdirde diyot iletime geçmeyecek ve
çıkış sürekli olarak sıfır volt olacaktır. Eğer giriş sinyalinin pozitif alternansındaki durum ele
alınırsa giriş sinyalinin VDC sinyalinden büyük olduğu anda diyotun iletime geçeceğini ve
çıkışta giriş voltajı ile VDC kaynağının farkı kadar bir voltaj görüleceği anlaşılabilir. Eğer tepe
noktası ele alınırsa bu fark Vm-VDC olacak(diyot ileri yön eşik gerilimi ihmal edilirse) ve çıkış
voltajının tepe değeri bu değere ulaşacaktır.
Paralel kırpıcılar ise diyotun, çıkış yüküne veya gerilimine paralel bağlanması ile elde
edilmektedir. Şekil-3’de paralel kırpıcı örneği görülmektedir. Öncelikle devre girişine pozitif
alternansın geldiğini farzedelim, bu durumda diyot ters polarmalanacağı için iletime
geçmeyecek (yaklaşık açık devre) ve giriş voltajının tamamı çıkışa yansıyacaktır. Yani pozitif
alternansta giriş ile çıkış arasında bir fark olmayacaktır. Diğer taraftan girişe negatif alternans
geldiğinde diyot iletime geçecek ve üzerinde sıfır volt(kırılma gerilimi ihmal edilirse)
olacaktır. Çıkış voltajı doğrudan diyot uçlarındaki gerilime eşit olacağından değeri sıfır volt
olacaktır. Bu devre böylece negatif alternansları kırpacak, pozitifleri ise değiştirmeden çıkışa
verecektir.
Şekil 3
14
Paralel kırpıcıda da tıpkı seri kırpıcıda olduğu gibi kırpma seviyesi istenilen bir seviyeye
çekilebilmektedir. Örneğin şekil 4 incelenirse devre çıkışında oluşan dalga şeklinden kırpma
voltajının –VDC’ ye eşit olduğu ve bu değerden daha küçük seviyedeki giriş voltajlarının
kırpıldığı görülebilir. Daha iyi anlayabilmek için devreye bakalım. Devrede bulunan diyotun
anoduna –VDC voltajı uygulanmış ve girişin sıfır olduğu durumlarda, çıkışında sıfır olması
sağlanmıştır. Bunun yanı sıra eğer giriş voltajının seviyesi –VDC seviyesinden daha küçük
olursa diyotun katodu, anoduna göre daha negatif olacak ve diyot iletim durumuna geçecektir.
Bu durumda çıkış voltajı
–VDC voltajına eşit olacaktır(diyot kırılma gerilimi ihmal edildiği
durumda). Böylece giriş voltajının -VDC’ den küçük değerleri için çıkış hep –VDC’ ye eşit
olarak kırpma işlemi yerine getirilmiş olacaktır.
Şekil 4
Kenetleyici Devreler
Kenetleme devreleri girişine uygulanan sinyalin DC seviyesini değiştirmek için kullanılır. Bu
işlemi gerçekleştirmek için diyot, kapasitör ve direnç içeren bir devrenin kullanılması
gerekmektedir. Kenetleyici devreler bir dalga şeklini negatif bölgeden çıkaran veya kaydıran
devrelerdir. Bazen bu devreler seviye değiştirici olarak ta adlandırılırlar. Çünkü dalga şekline
belli bir dc seviye eklerler. Şekil 5’ de basit bir kenetleme devresi gösterilmiştir.
Şekil 5
15
Şekil 6’ de görülen devre girişe uygulanan sinyali sıfır DC seviyesine kenetlemektedir.
Şekilde gösterilen giriş sinyali için 0 ile T/2 zaman aralığında devredeki diyot üzerinde pozitif
gerilim oluşacaktır. Bu durumda diyot kısa devre gibi davranır. Devre aşağıdaki hale döner (a
durumu).
(a)
(b)
Şekil 6
Bu durumda devrenin çıkışı 0 volttur. Ve kapasitör kısa süre içinde giriş gerilimin maksimum
genliğine yani V volt’ a dolar. Giriş gerilimi –V volt olduğu zaman yani T/2-T arasında, diyot
üzerinde negatif gerilim oluşacaktır. Sonuçta devre b şıkkındaki duruma dönecektir. Burada
RC zaman sabiti büyük olmalıdır. Bu süre içinde kapasitör üzerindeki gerilimin mümkün
olduğu kadar sabit kalması gerekmektedir. Bu yüzden RC değerinin büyük seçilmesi gerekir.
Bu durumda kapasitör T/’-T aralığında üzerindeki gerilimi koruyacağından çıkış gerilimi giriş
gerilimi ile kapasitör üzerindeki gerilimin toplamı olacaktır. Yani 𝑉𝑜 = 𝑉𝑖𝑛 − 𝑉𝑐 = −𝑉 − 𝑉 =
−2𝑉. Aşağıdaki şekilde giriş ve çıkış gerilimlerinin şekilleri verilmiştir (Şekil 3).
Şekil 3
16
DENEYDE YAPILACAKLAR
Hatırlatma: Deneylerde giriş ve çıkış dalga şekilleri osilaskop yardımı ile incelenecektir.
Deneye başlamadan önce osilaskop kalibrasyon ayarlarının doğru olduğundan emin olunuz.
Ayrıca dalga şekillerini görmek için osilaskop kanal girişlerinde bulunan AC-GND-DC seçici
anahtarının DC konumda olduğundan emin olunuz. Girişler DC konumda olduğuna göre
ölçümlerde referans yani sıfır noktasının önemi bir kat daha artmaktadır, bu amaçla mutlaka
her ölçümden önce ekranda referans noktası olarak belirlediğiniz nokta ile girişlerin sıfır
olduğu (GND konumu) durumdaki yatay çizginin çakıştığından emin olunuz. Daha sonra
ölçüm ve çizimlerinizi bu referans noktasına göre yapınız. Aksi takdirde ölçümlerde hatalar
oluşacaktır.
1.
Aşağıdaki devreyi RL=10KΩ, VDC= 2V ve Vİ giriş sinyalini, sinyal jeneratöründen
1kHz, 10Vp-p sinüs olacak şekilde kurunuz. Osilaskobun 1. kanalını giriş sinyali uçlarına, 2.
kanalını da çıkış voltajı uçlarına bağlayınız. Her iki kanal ve sinyal jeneratörünün şase
uçlarının devrenin şasesine doğru bağlandığından emin olunuz.
Şimdi her iki kanalda
gördüğünüz giriş ve çıkış voltajlarını aşağıdaki eksenlere ölçekli olarak ve değerleri ile
birlikte çiziniz. Sonra VDC kaynağını (voltaj değerini değiştirmeden) ters çeviriniz. Aynı
işlemleri tekrarlayınız ve çiziniz.
2.
Bu basamakta 1. adımda kurduğunuz devreyi tekrar kurarak diyotu ters çevirmeniz
istenmektedir. Bu durumda gördüğünüz giriş ve çıkış dalga şekillerini kaydediniz. Sonra VDC
kaynağını ters çevirerek tekrar elde ediniz ve giriş çıkış voltajlarını aşağıya çiziniz
17
3.
Aşağıdaki paralel kırpıcı devresini R = 4K7, VDC = 2V olacak şekilde kurunuz. Vİ
kaynağı olarak sinyal jeneratörünü kullanarak, çıkışını 10Vp-p, 1kHz sinüs dalgasına
ayarlayınız. Bundan sonra osiloskobun 1. kanalını giriş voltajı uçlarına, 2. kanalını da çıkış
uçlarına bağlayarak, dalga şekillerini ölçekli olarak kaydediniz. Sonra devrede bulunan diyotu
ters çevirerek, giriş çıkış sinyallerini aşağıya kaydediniz.
4.
3. adımdaki devrede bulunan VDC kaynağını ters çevirerek giriş çıkış voltajını aşağıya
kaydediniz. Sonra diyotu ters çevirerek giriş çıkış dalga şekillerini kaydediniz.
5.
Aşağıdaki kenetleyici devresini RL=10K, C=470μF ve Vİ giriş sinyalini, sinyal
jeneratöründen 1kHz, 10Vp-p kare alacak şekilde kurunuz. Osiloskobun 1. kanalını giriş
sinyali uçlarına, 2. kanalını da çıkış voltajı uçlarına bağlayınız. Şimdi her iki kanalda
gördüğünüz giriş ve çıkış voltajlarını ölçekli olarak ve değerleri ile birlikte çiziniz. Sonra
devrede bulunan diyotu ters çevirerek, giriş çıkış sinyallerini kaydediniz.
6. Aşağıdaki devreyi VDC 2 V olacak şekilde kurarak, giriş ve çıkış dalga şekillerini ölçekli
olarak kaydediniz. Daha sonra devredeki DC kaynağı ters çevirerek işlemleri tekrarlayınız
18
DENEY 4
TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ
AMAÇ
Transistörlerin yapısının ve transistörlerin giriş ve çıkış karakteristiklerinin anlaşılması.
MALZEME LİSTESİ
Transistör: 2 adet 2N 2222 silisyum transistör veya eşdeğeri
Direnç: 2 adet 1kΩ, 2 adet 100Ω
Potansiyometre: 3 adet 2 MΩ, 3 adet 10 KΩ
AÇIKLAMA
Transistörlerin Yapısı
BJT transistorlar katkılandırılmış P ve N tipi malzeme kullanılarak üretilir. NPN ve PNP
olmak üzere başlıca iki tipi vardır. NPN transistörde 2 adet N tipi yarıiletken madde arasına 1
adet P tipi yarıiletken madde konur. PNP tipi transistörde ise, 2 adet P tipi yarıiletken madde
arasına 1 adet N tipi yarıiletken madde konur. Dolayısıyla transistör 3 adet katmana veya
terminale sahiptir (Şekil 1).
Şekil 1: NPN ve PNP tipi transistorların fiziksel yapısı ve şematik sembolleri
19
Şekil 2’ de NPN ve PNP tipi transistörler için gerekli kutuplama bağlantıları verilmiştir.
Transistörün baz-emiter eklemine VBB kaynağı ile doğru kutulama uygulanmıştır. Bazkollektör eklemine ise VCC kaynağı ile ters kutuplama uygulanmıştır.
Şekil 2: NPN ve PNP transistörlerin kutuplandırılması
Transistörün Giriş Karakteristiği
Karakteristik eğri, herhangi bir elektriksel elemanda akım-gerilim ilişkisini gösterir.
Transistör, giriş ve çıkış için iki ayrı karakteristik eğriye sahiptir. Transistörün giriş
karakteristiği baz emiter gerilimi(VBE) ile baz akımı (IB) arasındaki ilişkiyi verir.
Transistörün giriş karakteristiklerini elde etmek için, kollektör-emiter gerilim (VCE) parametre
olarak alınır ve bu gerilime göre baz akımı (IB) değiştirilir. Baz akımındaki bu değişimin bazemiter gerilimine (VBE) etkisi ölçülür.
Şekil 3: Transistörün giriş karakteristiği
20
Grafikten de görüldüğü gibi transistörün giriş karakteristiği normal bir diyot karakteristiği ile
benzerlik gösterir. VBE gerilimi 0,5 V un altında olduğu sürece baz akımı ihmal edilecek
derecede küçüktür. Uygulamalarda aksi belirtilmedikçe transistörün iletime başladığı andaki
baz-emiter gerilimi VBE = 0,7 V olarak kabul edilir. Baz-emiter (VBE) gerilimi, sıcaklıktan bir
miktar etkilenir. Örneğin, her 1C° lik sıcaklık artımında VBE gerilimi yaklaşık 2,3 mV
civarında azalır.
Transistörün Çıkış Karakteristiği
Transistörlerde çıkış, genellikle kollektör-emiter uçları arasından alınır. Bu nedenle
transistörün çıkış karakteristiği; baz akımındaki (IB) değişime bağlı olarak, kollektör akımı
(IC) ve kollektör-emiter (VCE) gerilimindeki değişimi verir.
Transistöre uygulanan VCE gerilimi önemlidir. Bu gerilim değeri belirli limitler dahilinde
olmalıdır. Bu gerilim belirlenen limit değeri aştığında transistörde kırılma olayı meydana
gelerek bozulmaya neden olur.
Şekil 4: Transistörün IC – VCE karakteristikleri ve kırılma gerilimi
21
DENEYDE YAPILACAKLAR
1. Ortak emiterli bjt devresinin giriş karakteristiğini belirlemek için aşağıdaki devreyi
kurunuz.
Şekil 5
2. VCE ve VBE' yi Tablo 1' de gösterilen değerleri, 2 MΩ ve 10 KΩ' luk potansiyometreler
ile ayarlayarak elde ediniz. Tablo 1'de yer alan her bir VCE ve VBE değerleri için 1 KΩ' luk
direnç uçlarında düşen gerilimleri ( VRB) ölçüp, kaydediniz. Burada VCE' nin sabit kaldığından
emin olmanız için 2 adet ölçü aleti kullanmanız önerilir.
VCE=3V
VBE
VRB
VCE=5V
IB=VRB/RB
VBE
0.60
0.60
0.62
0.62
0.65
0.65
0.67
0.67
VRB
IB=VRB/RB
Tablo 1
3. Emiteri ortak bağlantıda çıkış karakteristiğini incelemek için aşağıda gösterilen
devredeki 10 kΩ' luk potansiyometreyi son değerine (max) ayarlayınız. Bu durum VCE' nin
yaklaşık olarak 0 V' a düşmesine sebep olacaktır. Daha sonra 1 MΩ' luk potansiyometreyi, IB
10 μA olacak şekilde ayarlayınız. (VRB 10 mV olduğunda, IB’ nin 10 μA olduğuna dikkat
22
ediniz) Daha sonra Tablo 2 'deki her bir VCE değeri için 10 kΩ' luk potansiyometreyi IB' nin
sabit kalmasını sağlayarak ayarlayınız.
Şekil 6
4. Tablo 2' de gösterilen VCE ve IB' nin her bir kombinasyonu için 100 Ω’ luk direnç
ucundaki VRC gerilimini ölçüp, kaydediniz.
Tablo 2
5. Tablo 1' deki IB değerlerini hesaplayıp kaydediniz. Bu bilgilere dayanarak Tablo 1’
deki
verileri
kullanarak
emiteri
ortak
öngerilimlendirme
devresinin
giriş
karakteristiğini çiziniz.
6. Tablo 2' deki IC değerlerini hesaplayıp kaydediniz. Bu bilgilere dayanarak Tablo 2'
deki verileri de kullanarak emiteri ortak çıkış karakteristiğini çiziniz.
23
DENEY 5
BJT TRANSİSTÖR’ÜN DC ÖNGERİLİMLENMESİ
AMAÇ
Emiteri ve bazı ortak bağlı BJT transistorün DC öngerilimlenmesini incelemek.
MALZEME LİSTESİ
Transistör: 2x2N2222A tipi silisyum transistör veya eşleneği
Direnç: 100Ω, 220Ω, 270Ω, 560Ω, 680Ω, 1KΩ, 1.2 KΩ, 2.2 KΩ , 3.3KΩ, 4.7KΩ, 5.6KΩ,
10KΩ, 33KΩ, 47KΩ, 100KΩ, 220KΩ, 270KΩ, 330KΩ, 470KΩ, 560KΩ, 1MΩ
Potansiyometre: 2 adet 10KΩ
AÇIKLAMA
DC Polarma ve Çalışma Noktası
Transistörün yükselteç olarak kullanılabilmesi için, yani girişindeki AC Vi voltajını,
çıkışından yükseltilmiş AC Vo voltajı olarak alabilmek için, uygun bir DC polarma devresine
ihtiyaç vardır. DC polarma devresi transistörler için gerçekten çok önemlidir. Eğer uygun bir
DC polarma devresi yapılmaz ise, transistör bir yükselteç olarak kullanılamaz veya istenilen
sonuç alınamaz. Peki DC polarma ne anlama gelmektedir. Bunu kısaca, transistörün uçları
arasında DC uygun çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanması olarak
tanımlayabiliriz.
DC polarma devreleri transistör beyz, kollektör ve emiter uçlarından statik akımların akmasını
sağlar. Bunun anlamı, transistör girişlerinde herhangi bir AC sinyal yok ise, transistör
üzerindeki gerilim veya akımlar statik (durgun) çalışma gerilim ve akımları olarak sabit
değerde olacaklardır. Tabiki bu durum ideal şartlar için geçerlidir. Yukarıda bahsedilen
çalışma noktasına Q çalışma noktası denir ve bu noktadaki akım ve gerilimleri
belirleyebilmek için sembollere alt indis olarak Q harfi eklenir. örneğin IBQ ve VCEQ
değerleri, sırası ile statik çalışma noktasında transistörün sahip olduğu beyz akımı ve
kollektör-emiter arası gerilim değerleridir.
Bilindiği gibi sıcaklık değişmeleri transistör üzerinde bazı olumsuz etkilere sebep olmaktadır.
Bunlardan en önemlisi transistör akım kazancı β ‘nın sıcaklık ile doğru orantılı olarak
24
değiştiğidir. Yani sıcaklık arttığında, β değeride artacak, bunun sonucunda normalde sabit
kalması istenen statik çalışma akım ve gerilimleri değişecektir. Bu istenmeyen durumu
önlemek için farklı yapılarda polarma devreleri kullanılır. En fazla kullanılan polarma
devreleri burada fazla detaya girmeden incelenecek ve böylece transistörün yükselteç olarak
kullanılması daha iyi anlaşılacaktır.
En Fazla Kullanılan Transistör DC Polarma Devreleri
1- Sabit Beyz Polarması,
2- Emiteri Kararlı Polarma Devresi,
3- Voltaj Bölücülü Polarma Devresi,
4- Kollektör Geribeslemeli Polarma Devresi.
1-Sabit Beyz Polarlama Devresi
2-Emiteri Kararlı Polarlama Devresi
25
3-Voltaj Bölücü Polarlama Devresi
4-Kollektör Geribeslemeli Polarlama Devresi
26
DENEYDE YAPILACAKLAR
1.
Emiteri ortak bağlantının incelenmesi;
a) Aşağıdaki devreyi kurunuz. RB direncinin Tablo’da verilen her değeri için istenenleri
ölçünüz. (RC=270Ω, VCC=6V)
RB
IB
IC
VRC
VCE
100KΩ
330KΩ
560KΩ
1MΩ
b) Aynı devrede RC direncinin etkisinin araştırılması için aşağıdaki tabloda verilen her RC
değerine karşılık istenen ölçümleri yapınız. (RB=330KΩ, VCC=6V)
RC
IB
IC
VRC
VCE
100Ω
270Ω
680Ω
1KΩ
2. Çift kaynaklı bazı ortak bağlantının incelenmesi;
a) Aşağıda verilen devreyi kurunuz. Aşağıdaki tabloda istenen ölçümleri yapınız
(RC=2.2K, VCC=12V).
27
Şekil 2 Çift kaynaklı bazı ortak bağlantı
VEE
RE
-2.8
-2.8
-2.8
-1.4
-1.4
-1.4
560Ω
1K Ω
2.2K Ω
560 Ω
1K Ω
2.2K Ω
IE
VCB
VCE
b) Aynı devre için aşağıdaki tabloda verilen RC değerlerine karşılık gelen ölçümleri
yapınız (RE=2.2K, VCC=12V, VEE= -2.8V)
RC
IE
VCB
5.6KΩ
3.3KΩ
1KΩ
560Ω
3. Tek kaynaklı bazı ortak bağlantının incelenmesi;
Aşağıdaki devreyi kurunuz. Tabloda verilen RE, RC ve RB değerlerinin her biri için IE akımını
ve VCT gerilimini ölçünüz. (VCC=12V dur. VCT gerilimi kolektör gerilimidir.)
28
Şekil 3 Tek kaynaklı bazı ortak bağlantı
RE
10KΩ
10KΩ
10KΩ
5.6KΩ
5.6KΩ
5.6KΩ
10KΩ
10KΩ
10KΩ
RC
10KΩ
10KΩ
10KΩ
10KΩ
10KΩ
10KΩ
5.6KΩ
3.3KΩ
1KΩ
RB
100KΩ
47KΩ
33KΩ
100KΩ
47KΩ
33KΩ
100KΩ
100KΩ
100KΩ
29
IE
VCT
DENEY 6
TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTECİN AC ANALİZİ
AMAÇ
Emiteri ortak bağlı bir yükselteçte, emiter direncinin AC açıdan tamamen devre dışı, kısmen
devre dışı ve tamamen devre içi olmasının yükselteç özelliklerine olan etkisinin incelenmesi.
MALZEMELER
Dirençler: 2 adet 100Ω, 1KΩ, 2.2KΩ, 10KΩ, 33KΩ
Kondansatör: 2 adet 4.7µF, 2 adet 10µF, 2 adet 47µF
Transistör: 2 adet 2N2222A tip silisyum transistör veya eşleniği
DENEYDE YAPILACAKLAR
1. Emiter direnci AC açısından tamamen devre dışı bağlantının incelenmesi:
Şekil1’deki devreyi kurunuz. Devrenin girişine frekansı 1KHz olan bir sinüzoidal işareti
Tablo 1’de verilen genliklerde sırasıyla uygulayıp çıkıştaki işareti osiloskop yardımı ile
gözleyiniz. Çıkış gerilim ve akım değerini tabloda ilgili haneye yazınız. (RB1=33KΩ,
RB2=10KΩ, RE1=100Ω, RE2=1KΩ, RC=2.2KΩ, transistör 2N2222A, CB=10µF, CC=4.7µF,
CE=47µF, VCC=12V)
Şekil 1: Emiteri Ortak Transistör Devresi
30
Vin
Vout
(mV)
(mV)
AV
IB
(DC)
IC
(DC)
5
10
20
30
50
70
100
Tablo 1: Ölçüm Yapılacak Değerler
NOT: Devrenizi bozmadan Vin=40mV yapıp iB akım değerini not ediniz.
2.
Emiter direnci kısmen devre dışı edilmiş bağlantının incelenmesi:
Şekil2’deki devreyi kurunuz. Devrenin girişine frekansı 1KHz olan bir sinüzoidal işareti
Tablo 2’de verilen genliklerde sırasıyla uygulayıp çıkıştaki işareti osiloskop yardımı ile
gözleyiniz. Çıkış gerilim değerini tabloda ilgili haneye yazınız.
(RB1=33KΩ, RB2=10KΩ, RE1=100Ω, RE2=1KΩ, RC=2.2KΩ, transistör 2N2222A, CB=10µF,
CC=4.7µF, CE=47µF, VCC=12V)
Şekil 2: Emiter Direnci Kısmen Devre Dışı Emiteri Ortak Bağlı Yükselteç
31
Vin
Vout
(mV)
(mV)
AV
5
10
20
30
50
70
100
200
Tablo 2: Ölçüm Yapılacak Değerler
NOT: Devrenizi bozmadan Vin=40mV yapıp iB akım değerini not ediniz.
3.
Emiter direnci AC açıdan tamamen devre içi bağlantının incelenmesi:
Şekil 3’deki devreyi kurunuz. Devrenin girişine frekansı 1KHz olan bir sinüzoidal işareti
Tablo 3’de verilen genliklerde sırasıyla uygulayıp çıkıştaki işareti osiloskop yardımı ile
gözleyiniz.
Çıkış
gerilim
değerini
tabloda
ilgili
haneye
yazınız.
(RB1=33KΩ, RB2=10KΩ, RE1=100Ω, RE2=1KΩ, RC=2.2KΩ, transistör 2N2222A, CB=10µF,
CC=4.7µF, CE=47µF, VCC=12V)
32
Şekil 3: Emiter Direnci Tamamen Devre İçi Emiteri Ortak Yükselteç
Vin
Vout
(mV)
(mV)
AV
5
10
20
30
50
70
100
200
300
Tablo 3: Ölçüm Yapılacak Değerler
NOT: Devrenizi bozmadan Vin=40mV yapıp iB akım değerini not ediniz.
4. Her 3 bağlantı içinde Vin=40mV gerilim değerine karşılık ölçmüş olduğunuz iB
akımına karşılık , giriş empedansını bulunuz. Bulduğunuz değerleri birbirleri ile
karşılaştırıp giriş empedansının büyüklüğü bakımından üç bağlantıyı sıralayınız.
33
DENEY 7
JFET’ İN KARAKTERİSTİK EĞRİLERİNİN ELDE EDİLMESİ
AMAÇ
JFET transistörünün karakteristik eğrilerini elde edilmesi.
MALZEME LİSTESİ
Transistör: 2 adet BF245 transistör veya eşleneği
Direnç: 2 adet 1kΩ, 2 adet 100Ω, 2 adet 2.2kΩ, 2 adet 270kΩ
AÇIKLAMA
BJT transistörlerin tam tersine FET' ler unipolar (tek kutuplu) olarak adlandırılırlar. Çünkü
FET' in çalışması sırasında sadece tek bir tip yük taşıyıcısı kullanılır. N kanallı JFET
transistörlerde gate-source gerilimi (VGS) negatif olduğunda drain' den source' a bir iletim
gerçekleşir. VGS gerilimi 0V olduğunda G-D jonksiyonu ters polarize olur ve akım akmaz.
JFET transistörlerle ilgili ilginç bir nokta da BJT' nin tam tersine çıkış akımı ID giriş gerilimi
VGS tarafından kontrol edilir. BJT emiteri ortak devreye geri dönersek çıkış akımı IC giriş
akımı IB tarafından kontrol edilir.
Şekil 1'de çıkış akımı ID ile giriş gerilimi VGS arasındaki ilişki gözükmektedir. Çalışma
noktasındaki akım ve gerilimi hesaplayabilmek için öncelikle ID ve VGS 'nin max olabileceği
değerlerin bilinmesi gerekmektedir. Eğer VGS = 0 V ise, ID akımı max değerdedir ve IDSS
olarak adlandırılır.(Drain saturasyon akımı) Eğer VGS gerilimi artırılırsa (negatif arttırılacak)
bir noktada ID akımı 0'a eşit olacaktır. ID = 0 olduğu andaki VGS gerilimi VP (pinch-off
gerilimi) olarak adlandırılır.
Şekil 1
34
Çalışma noktası anındaki akım ve gerilimi hesaplamak için, Şekil 1'deki denklemlerin aynı
anda çözülmesi gerekmektedir. Sol taraftaki denklem transistörün transfer denklemidir. Sağ
taraftaki ise kendinden öngerilimlendirilmiş JFET devresi için yük doğrusu denklemidir.
DENEYDE YAPILACAKLAR
1. Şekil 2’ de verilen devreyi kurunuz. Tablo 1’ de verilen gerilim değerlerine karşılık gelen
akım ve gerilim değerlerini ölçünüz. Elde ettiğiniz her VGS değeri için ID-VDS ve ID-VGS
eğrisini çiziniz.
Şekil 2
35
Tablo 1. Devreye Uygulanacak Gerilim Değerleri
VDD(V)
VGS(V)
0
ID(mA)
VDS(V)
VDD(V)
VGS(V)
0
0
-1
1
0
1
-1
5
0
5
-1
10
0
10
-1
12
0
12
-1
0
-0.5
0
-2
1
-0.5
1
-2
5
-0.5
5
-2
10
-0.5
10
-2
ID(mA)
VGS(V)
2. a) Şekil 3’ de verilen devreyi kurarak ID akımını, VGS ve VDS gerilimlerini ölçünüz.
Şekil 3
b) RD direnç değerini 1kΩ yapınız ve a şıkkını tekrarlayınız.
c) RD direnç değerini 1kΩ, RS direnç değerini 2.2kΩ yapınız ve a şıkkını tekrarlayınız.
d) RD direnç değerini 2.2kΩ, RS direnç değerini 1kΩ ve VDD değerini 10V yapınız ve a
şıkkını tekrarlayınız.
36
DENEY 8
JFETLİ YÜKSELTEÇLER
AMAÇ
JFET’li yükselteçlerle yapılan kuvvetlendiricilerin AC analizlerinin öğrenilmesi.
MALZEME LİSTESİ
Transistör: 2 adet 2N3823 JFET veya eşleniği.
Kondansatör: 2 adet 33µF, 2 adet 10µF.
Direnç: 2 adet 1MΩ, 2 adet 2.2kΩ, 2 adet 1.1kΩ.
AÇIKLAMA
FET’lerin bipolar tansistörlere göre çok daha yüksek giriş dirençlerine sahip olmaları nedeni
ile tercih edildikleri bilinen bir gerçektir. Yarıiletkenin karakteristik değerleri üzerinde: ID,
VDS, VGS değerlerinin seçimini (çalışma noktasının belirlenmesini) takiben ilk olarak
RD=(VDD-VDS+VGS)/ID direncini hesaplayalım. Kapı-emetör arasındaki negatif gerilim RSS
direnci ile sağlanır. Akım sınırlaması amaçlı olarak, R1=1MΩ seçilmiştir ve kapıdan herhangi
bir akım akmadığı kabul edilirse VR1= 0V olacaktır. Bunun anlamı ise kapı geriliminin toprak
potansiyelinde olduğudur. Bu durumda RSS üzerinden sadece ID akımı akacaktır. Sonuç
olarak, RSS=- VGS/ID elde edilir.
AC işaretlerin kuplajı için C1 kapasitesi konulmuştur. Kapasitans alçak frekanslarda etkili
olmaktadır. İyi bir alçak frekans cevabı için R1>1/wC1 koşulu sağlanmalıdır. Bu eşitsizlikte 10
katlık bir fark R1=10/wC1 yeterli olacaktır. R1=1.5MΩ ve seçilen alt kesim frekansı fa için
C1=10/(2π fa R1) olacaktır.
AC işaretlerde emetör geriliminin değişmemesi için CSS köprüleme kapasitesi bağlanır.
İşaretin frekans değerine göre CSS ‘in empedans değeri, RSS’e göre çok daha düşük olmalıdır
ki emetör ucu topraklanmış olur. Buna göre CSS= 10//(2π fa RSS) eşitliği kullanılabilecektir.
37
DENEYDE YAPILACAKLAR
1. Aşağıda verilmiş olan 2N3823 entegresine ait VDS-ID grafiksel yapıdan ID=2mA
VDS=6V ve VGS=-2V çalışması noktasını seçelim.
2. Aşağıda çalışma noktasına ilişkin olarak standart değerler verilmiştir. Ancak çalışma
noktasına ait tam değerler verilmemiştir. Bu değerleri hesaplayarak uygun noktalara
kaydedin.
Çalışma Noktası:
VDS= ____
VGS= ____
ID=____
RD(hesaplanan)=____
RD(kullanılan)= 2.2kΩ
RSS(hesaplanan)=____
RSS(kullanılan)= 1.1kΩ
Alt kesim frekansı= 100Hz
C1 (hesaplanan)=_____
C1(kullanılan)= 10µF
38
CSS(hesaplanan)=____
CSS(kullanılan)= 33µF
3. Aşağıda verilen amplifikatör devresini kullanılan elemanlar cinsinden kurunuz. Devre
girişine 10 mVtt , 30 mVtt , 50 mVtt, 100 mVtt -1 kHz’lik işaretleri uygulayınız. Çıkış
işaretini osiloskopdan gözleyerek kaydediniz ve kazanç değerini hesaplayın.
Vi= 10 mVtt , 30 mVtt , 50 mVtt, 100 mVtt için ,
V0=______
AV= V0/ Vi=__________
4. Giriş işaretini, çıkışta distorsiyon oluncaya kadar arttırın. Distorsiyon halinde, çıkış
işaretinin pozitif ve negatif yarı periyotları eşit genlikli midir? Aradaki fark nedendir?
Vi(distorsiyon başladığında)=______ ,
39
V0(distorsiyon başladığında)=_______
EKLER
1N4001 datasheet
7
40
2N2222 datasheet
41
2N2222A datasheet
42
BF245 datasheet
43
2N 3823datasheet
44
Ön Çalışma, Deney ve Rapor Hakkında Genel Bilgiler ve Formatları
Ön Çalışma: Her deney için, “DENEYDE YAPILACAKLAR” kısmı sırası ile en iyi
bildiğiniz simülasyon programı ile simülasyonları yapılacak ve A4 kağıda yapılan
simülasyonların çıktıları alınıp Laboratuvara gelinecektir.
Deney: Ön çalışmalarını yapan bireyler deney esnasında elde ettikleri sonuçları A4 kağıdına
grup numarası, ad soyad ve imzaları ile birlikte görevli Hocalarımıza teslim edeceklerdir. Bir
kopyasını kendinize almayı unutmayınız.
Rapor: Rapor tamamen deney esnasında elde ettiğiniz sonuçların yorumları ile birlikte bir
sonraki hafta deneye gelirken teslim edilmesidir. Grup olarak hazırlanacaktır. Rapor formatı
aşağıdadır:
Devrenin Çizimi
Devrenin simülasyon
çıktısı (grafik yada
tablo)
Deneyde elde edilen
sonuçları (grafik yada
tablo)
Elde edilen sonuçların yorumlanması
45
Kapak Formatı
BÜLENT ECEVİT ÜNİVERSİTESİ
ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ
2016-2017
ELEKTRONİK LABORATUARI - I
RAPOR
DENEY NO: 3
DENEY ADI: KIRPICI VE KENETLEYİCİ DEVRELER
GRUP NO: 5
GRUP ÜYELERİ:
Osman DALBUDAKOĞLU
İmza
Ozan GÜLBUDAKOĞLU
İmza
46
Değerlendirme
GENEL
NOT
(%100)
YIL
SONU
(%50)
YIL İÇİ
(%50)
VİZE*
(%25)
FİNAL*
(%20)
RAPOR
(%25)
PROJE**
(%30)
*Vize ve Final sınavları yazılı olacaktır.(Vize ve final haftalarında)
**
Proje
1- 21 kasım 2016 tarihine kadar proje ara raporunu teslim edilecek.
2- 12 Aralık 2016 tarihine kadar projelerin bitmiş ve çalışır halleri teslim edilecek. Proje
ile ilgili sözlü sınava tabi tutulacaksınız.
Not: Tarihlerde değişiklik yapılabilir.
47