ELEKTRONİĞE GİRİŞ LABORATUVARI DENEY 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER Amaç: Deneyde tranzistorlu kuvvetlendirici devrelerin davranışının incelenmesi için uygulamalar yapılması amaçlanmıştır. İlk deneyde şekil 2-a’daki devre kurulmuştur. Devredeki c1,c2,c3,Rg,Ry,Vg elemanları devreden çıkarılmıştır. Bunun sebebi, devrenin DC özelliğinin incelenebilmesi ve tranzistorun kutuplanmasıdır. Vcc değeri 15 V için VB,VC ve VE gerilimleri ölçülmüştür. Ölçülen değerler aşağıda verilmiştir: VB (V) VC (V) VE (V) 1,874 6,054 1,26 Tablodaki değerler kullanılarak tranzistorun kolektör akımının değeri hesaplanmıştır: IC.RC = VCC – VC IC.(8,2kΩ) = 15 – 6,054 V IC = 1,0909 mA Sonraki deneyde daha önce devre dışı bırakılan elemanlar devreye eklendi. Devrenin çıkışında düzgün bir sinüs işareti elde edebilmek için Vg girişine uygulanan sinüs işaretinin genliği değiştirilmiştir. Düzgün bir sinüs işareti elde edildikten sonra VB, VC ve VE gerilimlerinin değişimi osiloskopta gözlenmiştir. Osiloskopta gözlenen değerlere göre baz ve emetör gerilimlerinin değeri -0,1 V ve +0,1 V arasında değişirken kolektör geriliminin değeri -0,5 V ile +0,5 V arasında değişmektedir. Sonuç olarak tranzistorun baz-emetör gerilimi ve kolektör-baz gerilimi pozitif çıktığından ileri yönde çalıştığı anlaşılmaktadır. Deneyde gözlenen işaretler rapor sonuna eklenmiştir. Bir sonraki deneyde girişe uygulanan işaretin genliği çok arttırılmış ve tranzistorun çıkışında her iki tepede de kırpılma elde edilmiştir. Kırpılmanın değerinin en fazla Vcc gerilimi kadar olması beklenmiştir. Deneyde elde edilen işaretler rapor sonuna eklenmiştir. Bir sonraki aşamada c3 devre dışı bırakılarak daha önce yapılan işlemler tekrarlanmıştır. Devre için AC analizi yapılmıştır. Devrede c3 kondansatörü varken RE direnci kısa devre olmakta ve tranzistorun davranışına etki etmemektedir. c3 kondansatörü çıkarıldığında RE direnci tranzistorun davranışına etki etmeye başlayacaktır. Buna göre, devrenin kazancı azalır çünkü kazanç denkleminin paydasında bulunan RE değeri büyümüştür. Deneyde baz, emetör ve kolektör gerilimlerinin değişimleri osiloskop ile gözlenmiştir. Bu deneyde elde edilen işaretler rapor sonuna eklenmiştir. Daha sonra şekil 2-b’deki devre kurulmuştur. Girişe genlikleri farklı olan sinüs işaretleri uygulanarak çıkışta düzgün bir sinüs işareti elde edilmeye çalışılmıştır. Baz, emetör ve kolektör gerilimlerinin değişimleri osiloskop ile gözlenmiştir. Yine, baz ve emetör gerilimleri -0,1 V ile +0,1 V arasında değişmekte iken kolektör gerilimi -0,5 V ile +0,5 V arasında değişmektedir. Deneyde elde edilen işaretler rapor sonuna eklenmiştir. Aynı devrede c1 kondansatörü devre dışı bırakılarak tekrar ölçüm yapılmıştır. Devre için AC analizi yapılmıştır. Kondansatörler kısa devre alınacağından c1 devrede iken R2 direnci kısa devre olmakta; c1 devre dışı iken R2 devreye dahil edilmiş olacaktır. Buna göre, tranzistorun kazanç denkleminde paydada bulunan baz eşdeğer direncinin değeri azalacaktır. Bu da kazancı arttırır. Deneyde gözlenen baz, emetör ve kolektör gerilimlerinin değişimleri rapor sonuna eklenmiştir. BJT ve MOSFET arasındaki farklar: 1. BJT’lerde akım ile akım kontrol edilirken; MOSFET’lerde gerim ile akım kontrol edilir. 2. BJT’lerde çıkış akımı akım ile kontrol edildiğinden girişe her zaman akım uygulanmak zorundadır. MOSFET’lerde çıkış akımı gerilim ile kontrol edildiğinden girişe akım uygulanmak zorunda değildir. 3. BJT’lerin kapladığı alan fazladır ve giriş direnci fazla, giriş kazancı azdır. MOSFET’lerin kapladığı alan az olup giriş direnci az, giriş kazancı fazladır.