(a)Schottky diyot sembolü

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
2.3.ÖZEL DİYOTLAR
2.3.1. Zener Diyot
Zener diyotlar kesime kutuplamada özel bir
davranış gösterirler.
Zener, sabit devrilme gerilimine sahip bir diyottur.
İletim özeğrisi normal diyot gibi olup, kesim
özeğrisi ise VZ=VA geriliminde sabit kalıyor
kabul edilir.
Bu özelliğinden faydalanılarak sabit bir gerilim
elde etmede veya gerilim
ayarlayıcılarında
(regülatörlerinde) kullanılırlar.
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
+iA  mA
K
VZ = -5V
-10V
vA  V
T1'de
T2'de
T1  T2
0+
IZK
A
(a)
T1'de
T1 'de
(b)
Şekil 2.15.Zener diyot (a)sembolleri ve (b)T1 ve T2
özeğrilerindeki farkları.
sıcaklıklarında
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
K
+
+
K
+
VZ
VA
IZ
A
RZ
(dinamik) (a)
A
Şekil 2.16.(a)Zener +
IS
diyot eşdeğer
devresi, (b)küçük VS
sinyal eşdeğer devre
modeli, (c)ayar
devresi
rz
(statik)
CT
(b)
RZ
DZ
(c)
IZ
IY
RY
+
VO
-
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
•Zener
diyotlar gerilim sınırlama yaparken sürekli
görev yapabilmeleri ve aşırı akımlardan zarar
görmemeleri için kullanıldıkları yerlerde;
•Ters kutuplamalı,
•Zener
geriliminden (üretici değeri) daha düşük
gerilim uygulanmamalı ve
•Bir
seri
dirençle akım sınırlaması yapılacak
şekilde
devreye bağlanmalıdır.
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
IS
+
+
RZ
IY
-
IZ
10…30 V
R1
RY
+
-
6V
400 mW
+
D
RZ
C
DZ
(b)
2,2 K
DZ
(a)
VS
100K
1 741
6
2
4
R2
-
7
R3
+
VO  8 V
-
(c)
RY
Şekil 2.17 Zener diyot a)Gerilim
standardı, b)Yarım dalga
doğrultucu ayarı, c)Pratik bir
gerilim ayarlama uygulama devresi.
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
2.3.2. Tayrektör (Thyrector)
•Aard arda ters seri bağlı iki zener
diyodu gibi çalışır.
Geçici ve ani
yükselen gerilimleri önlemede kullanılan
bir diyottur. Her iki yönlü kutuplamalı
bağlantıda da aynı davranışları gösterir.
Diyotlardan biri her zaman açık, yani
iletime kutuplanmış görünür. Bu anda
diğer diyot aynı bir zener özeğrisi
gösterir.
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
T1
IA   A
-VD
0
VD
VA  V
T2
(a)
(b)
Şekil 2.18.Thyrector a)sembolü ve b)iletim özeğrisi.
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
2.3.3 . SCHOTTKY (Barrier=Engel) Diyodu
•Schottky engel diyodunda eklem bölgesi
metal yarıiletken devreden oluşur. Sonuçta
yarıiletken veya omik özellik gösterir. İki
tabakası arasındaki yük taşıyıcı yoğunluğu
farkından dolayı, engelde bir potansiyel oluşur.
Az katkılı silisyum (veya galyum arsenit)
kullanıldığında,
bu alüminyum-silisyum
ekleme Schottky diyot denir. Silisyum bir
diyotla schottky diyot özeğrisi karşılaştırılırsa
özeğriler arasında belirgin iki fark vardır.
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Schottky
barier diyot
A
K
(a)
bariyer
metal
n tipi
silisyum
+
çift ntabaka
katkılı
silisyum
tabaka
(b)
+iA mA
Silisyum
diyot
Silisyum diyot
Is
Schottky barier
diyot
(c)
V sc V si +vA
V
Şekil 2.19.(a)Schottky diyot sembolü, (b)yarıiletken
tabakaları, (c)Schottky ve silisyum diyot özeğrisi,
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
•Çoğunluk elektronlar metale engel
üzerinden aktarılarak metaldeki diğer
elektronlardan daha fazla enerjiye sahip
olmaları termal dengeyi sağlar. Bu
aktarılan elektronlar, sıcak elektron diye
adlandırılır.
Bazı
uygulamalarda
schottky diyota sıcak elektron diyodu
da denmektedir.
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
SMX Tipi Şotki diyotlarda kodlama
S S x b yy
Ters gerilim
9 = 90V
10 = 100V
TO-220AC
SMX Paketi
1 = SMA (DO-214AC)
2 = SMB (DO-214AA)
3 = SMC (DO-214AB)
SMA
SMB
Engel Yüksekliği
• “Boş” = Standard
• H = Yüksek
SMC
Yüzeysel tip
Schottky Engel Diyodu
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
TO-220 & TO-3P Tipi Şotki diyotlarda kodlama
MBR C xx b yy PP
Paket Tipi
• “boş” = tek TO-220AC, ITO-220AC or TO-263AB
• CT = Merkez uçlu TO-220AB, ITO-220AB or TO-263AB
• PT = Merkez uçlu TO-247AD
Ters Gerilim (V)
Engel Yüksekliği
• “Boş” = Standard
• H = Yüksek
Iletim Akımı (A)
Paket Sınıfı
• “Boş” = Standard
• B = Yüzey tipli TO-263AB
• F = Yalıtılmış TO-220
TO-220AC
TO-220AB
TO-247AD
TO-263
Orta (Medium) Eklem (Barrier) Şotki Diyot
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
100V Schottky Uygulamaları

Yüksek frekanslı güç kaynakları

Serbest geçiğ diyotları görevi

Kutuplama koruması

Akü-Pil doldurma düzenleri

Gözlem devreleri

AA/DA dönüştürücüler (Doğrultucular)

DA/DA dönüştürücüler (DA ayarlayıcılar)
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
+iA  A
A
SiO2
30 -
metal bariyer
10
V
0,9
+vA  V
0
- 0,01
-0,1
0,5
-1
0.7
-10
(b)
K
-100
(a)
0,5
0,7 0,9
n bölgesi
akımı
10 100
çift n+ katkılı
silisyum tabaka
0,5
20 -
SiO 2
uy bölgesi
n tipi silisyum tabaka
V
-iA  mA
Şekil 2.20.(a) schottky diyot yarıiletken tabakaları,
(b) Schottky ve pn diyot özeğrileri
1,0
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Seçim Tablosu
IF(AV)
(A)
1.5
2.0
10
20
Device
Eleman
SS29 - SS210
SB2H90 - SB2H100
MBR1090 - MBR10100
MBRF1090 - MBRF10100
MBRB1090 - MBRB10100
MBR10H90 - MBR10H100
MBRF10H90 - MBRF10H100
MBRB10H90 - MBRB10H100
MBR10H90CT - MBR10H100CT
MBRF10H90CT - MBRF10H100CT
MBRB10H90CT - MBRB10H100CT
MBR2090CT - MBR20100CT
MBRF2090CT - MBRF20100CT
MBRB2090CT - MBRB20100CT
MBR20H90CT - MBR20H100CT
MBRF20H90CT - MBRF20H100CT
MBRB20H90CT - MBRB20H100CT
V(BR) Range Max VF @
IF
(V)
(V)
(A)
DO-214AA (SMB) 90 - 100
0.75
1.0
DO-204AC
90 - 100
0.85
2.0
TO-220AC
90 - 100
0.80
10
ITO-220AC
90 - 100
0.80
10
TO-263AB
90 - 100
0.80
10
TO-220AC
90 - 100
0.77
10
ITO-220AC
90 - 100
0.77
10
TO-263AB
90 - 100
0.77
10
TO-220AB
90 - 100
0.76
5
ITO-220AB
90 - 100
0.76
5
TO-263AB
90 - 100
0.76
5
TO-220AB
90 - 100
0.95
20
ITO-220AB
90 - 100
0.95
20
TO-263AB
90 - 100
0.95
20
TO-220AB
90 - 100
0.88
20
ITO-220AB
90 - 100
0.88
20
TO-263AB
90 - 100
0.88
20
Package
Paketi
TJ Max
(°C)
115
150
150
150
150
175
175
175
150
150
150
150
150
150
175
175
175
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
2.3.4. DIAC
•Seri ters bağlı iki diyot gibi çalışır.
Thyrector'den farklı olarak zener içermez.
Bu diyotlarda büyük akımlardan dolayı
oluşan yüksek sıcaklık, düşük devrilme
gerilimlerine
sebep
olmaktadır.
Dolayısıyla
tetiklemede
kolaylık
sağlanmaktadır.
•Genel olarak diyaklar geniş oranda SCR
ve triyak tetikleme devrelerinde yardımcı
eleman olarak kullanılmaktadırlar.
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
•Diyak için bazı öz değerler;
•Diac tipi:
261-334
•VBD
= 32 V
•Ipk
= 1 A (TA=25 °C ve 20µs için)
•Tdepo = Tişltm = - 40 ile +150 °C
•TJmaks.= 100 °C
•PT
= 150 mW (TA = 40 °C için)
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
•Diac tipi:
BR100 261-930
•VBD = 32 V
•Ipk
= 2 A (TA=25 °C ve 20µs için)
•Tdepo = Tişltm =-55 ile +125 °C
•TJmaks= 100 °C
•PT
= 150 mW (TA=40 °C)
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
IA  A
-VD
VD VA  V
0
(a)
(b)
Şekil 2.21 Diac elemanı (a)genel sembolü, (b)özeğrisi.
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
2.3.5. SHOCKLEY Diyodu
•Şokley diyodu tetikleme devrelerinde
kullanılan bir yarıiletken elemanıdır.
Kesim bölgesinde normal bir diyot
gibi davranır. İletim bölgesinde ise
devrilme gerilimine kadar iletmez.
Sonra ani olarak iletir ve gerilim
düşümü düşük değerlerde olur.
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
IA  A
p
n
p
n
(a)
(b)
-VD
0
(c)
VD VA  V
(d)
Şekil 2.22 Shockley diyodu (a)Sembolü, (b)pn eşdeğeri,
(c)tranzistör eşdeğer devresi (d)akım gerilim özeğrisi
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
s
R
+
V
Vs
C
-
t
(a)
(b)
Şekil 2.23.(a)Shockley diyotlu salınım
devresi, (b)tesdere dişi çıkış salınımı
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
2.3.6. SIDAC (Silicon Diode for Alternating
Current: AA’da iki Yönlü Yarıiletken Diyot)
•Sidak (sidac) elemanı, iki yönlü akım
iletebilen özel bir diyot olup diyak gibi
belirli devrilme geriliminde ileterek
üzerindeki gerilimi yaklaşık sıfıra
indirir ve iletken gibi davranır.
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
iA
RS eğimi
vA
(c)
(a)
(b)
Şekil 2.24.(a)Sidak sembulü, (b)akım-gerilim özeğrisi (teorik), (c)deneysel
gösterimi
(50V/div., 20mA/div. Ve R Y=14K)
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Geçici koruma
amaçlı sidac
Çıkış gerilimi
koruması
DS1
vS
f
Ayarlayıcı
vY 100V
C1
C2
(a)
RY
DS2
vC
VB 0
R
+
_
VSVB0
DS
vC
0
iY
C
t
RY
iY
0
t
t
(c)
(b)
R  ( VS-VB0)/IB0
R  ( VS-VTM )/IH
t=RC[1/(1-VB0/VS)]
Şekil 2.25.(a)AA/DA dönüştürücüde koruma amaçlı sidac kullanımı,
(b)sidaklı salınım üreteci devresi ve (c)çıkış sinyalleri değişimi
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
DS
+
vS

iA
(VT, IT)
I5
iY
RY
Eğim=1/RY
(a)
RY  RS
I3
(Vkpm , Ikpm )
(c)
IH
I1
(VB0 , IB0 )
0 V1 V2 V3 V4 V5
vA
(b)
(c)
Şekil 2.26.(a)AA’da R yüklü devrede sidak ve (b)akım -gerilim yük özeğrisi, (c)fiziksel görünüşü
V1..,V5: sırasıyla t=1, ...,5 anlarındaki gerilimler
I1..., I5: sırasıyla t=1, ...,5 anlarındaki akımlar
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
IŞIKLA ÇALIŞAN
(OPTİK) ELEMANLAR
•Işık düzgün bir enerji dağılımına sahip
elektrik ve magnetik alandan oluşan bir
dalga olarak tanımlanabilir. Buna göre de
elektro magnetik spektrumda yer alır.
Fakat
ışığın
diğer
özellikleri
incelendiğinde, enerji taşıyan parçacıklar
da denen fotonlar dan oluşur.
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
2.3.7. Foto Diyot
(Photo Diode, Işıkla Çalışan Diyot)
•Bir p-n eklemine ters kutuplamalı gerilim
uygulandığında, elektron ve oyuklar biri
birinden uzaklaşırlar. Eklemin uyb'si
büyümüş olur. Uygun dalga boyundaki
ışık ışınları bu bölgeye ulaştığında oyukelektron çiftlerinin doğmasına neden
olurlar. Kapama gerilimine ters yönde bir
akımın oluşmasına neden olurlar.
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
•Işık fotonlarındaki enerji algılanma ile
beraber fotovoltaik etki ile de elektriğe
dönüştürülür. Bunun için de ayrıca
belirli bir gerilime ihtiyaç duymazlar.
Işık gerilimli hücre de denen bu
(photovoltaic cell) elemanlar ışıktan
elektrik elde etmede de kullanılabilirler.
•Eklem bölgesine ulaşan ışık ışınları
ters yöndeki akımı arttırmaya başlar.
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
RF
K
is
K
RY
is
e o= is RF
işlemsel
kuvvetlendirici
A
e o= is RY
A
+
-
(a)
(b)
Şekil 2.28 Fotodiyotun (a)fotovoltaik, (b)fotoiletken özelliğinden
yararlanılarak kullanılan örnek devreler
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Foto diyot
tipleri
OP900SL
OP913SL
OP913WSL
A Işık akımı
14.0
120.0
40
ID nA Karanlık akımı
10.0
25.0
25.0
VRB, V Kesim devre gerilimi
150
32.0
32.0
tr Yükselme süresi ns 
tf Düşme süresi ns 
100
100
-
-
Voc, mV açık devre gerilimi
-
400.0
300.0
Isc, A kısa devre akımı
-
120.0
40.0
Cj pF toplam kapasitesi
-
150.0
150.0
ton ns açma süresi
toff ns  kapama süresi
-
50.0
50.0
50.0
50.0
Sembol
Ip
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Değişik dalga boylu fotonlar
Mavi Kırmızı Kızıl öte si
(İnfrared)
optik
tabaka
K
Kontak
p+
tabakası
Oksit
tabakası
w - uyb
n tipi silisyum tabaka
A
n+
tabaka
Metal
kontak
(a)
(b)
Işıksız ortam
özeğrisi
+iA  A
Işıklı ortam
özeğrisi
VRB
+vA  V
Voc, açık devre
(ışık uç) gerilimi
Ik kısa devre ışık
etki akımı
Direnç eğrisi
(c)
Şekil 2.29 Fotodiyot (a)sembolleri, (b)eklem yapısı ve ışık
etkisi, (c) özeğrileri
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
%
100
GaAs
GaP:N
80
60
İnsan
gözü
GaAs:Si
Germanyum
diyot
GaAs 0.15 P0.85 :N
40
20
0
200
Mor
ötesi
Silisyum
diyot
GaAs 0.35 P0.65 :N
GaAs 0.35 P0.65 :N
500
Görülebilir
1000
Yakın kızıl ötesi
1500
2000
  nm
Orta kızıl ötesi ışınlar
Şekil 2.30 Silisyum ve germanyum fotodiyotların bağıl hassasiyetlerinin
değişim özeğrileri
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
2.3.8. Işık Yayan Diyot
(LED : Light Emmiting Diode)
•LED’ler,
iletime kutuplandığında elektro
magnetik radyasyon yayarlar. Bu ışıma, elektro
magnetik spektrumda mor ötesi ile kızıl ötesi
arasında bir ışımadır. Yayılan ışınlar, eklem
bölgesinin dışı plastik veya metallerle kaplanarak
odaklanır. Dalga boyunu etkileyen faktör, elemanı
oluşturan yarıiletken malzemenin özelliğidir.
Çıplak gözle görülebilir spektral band'ta kırmızı,
sarı ve yeşil renklerde LED'ler üretilebilmektedir.
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
•LED'ler ile, değişik gösterge ışıkları, ses
donanımı, yedi parçalı sayısal göstergeler (seven
segment displays), ölçme devreleri, telefonlar,
konutlarda kullanım amaçlı sinyal ve bilgi
sistemleri, eğlence sistemleri gibi birçok alanda
kullanılmaktadırlar. Birden fazla flamanlı olup tek
renk dışında farklı ışıklar verebilen LED’ler de
vardır. Uzaktan kumanda donanımında olduğu
gibi. Yarıiletken radyasyonun, düşük işletme
sıcaklığı, titreşim-darbelerine karşı mekanik
dayanım, boyutlarının küçüklüğü gibi üstünlükleri
vardır.
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
elektronlar
e.VA
A
iletim bandı
e.(VA -VS)
VS
ortalama
Eg
n
uyb
p
(a)
K
oyuklar
(b)
(c)
Şekil 2.31 LED eklemi (a)gerilim uygulanmamış durum, (b)iletime
kutuplama gerilimi ile iletme durumu, (c)LED sembolleri
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
2.3.9. Kızılötesi Işın Yayan Diyot
(IRED: InfraRed Emmiting Diode)
GaAs tipi bir fotodiyot olup, yaklaşık
900nm civarında dalga boyu ışın
yayarak yaklaşık 1,43eV luk eklem
aralığı enerjisine sahip özel diyotlardır.
Bu tip diyotlarda anahtarlama iletim
süresi 50ns civarındadır.
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Tablo 2.4 Bazı IRED'lere ait özdeğerler
Kılıf şekli
IRED
tipi
Yarım açı
 derece
Parlaklık mW/sr
(IA=100 mA'de)
VA
V
-IA A
LD242
60
2,5….12,5
Plastik
LD271
25
7,0 …. 20,0
5 mm plastik
LD273
25
15,0
5 mm
SFH400
6
12,5 … 64,0
Cam lens
SFH402
40
1,6 … 8,0
Yassı cam p.
SFH409
20
15,0
3 mm
OP123/4
24
2,34 mm herm.
1,5
100(-2V'da)
OP130/1/2
18
5 mm hermetic
1,75
100(-2V'da)
OP130W
50
5 mm hermetic
1,75
100(-2V'da)
OP290/1
50
5 mm plastik
4,0
100(-2V'da)
OP140A
40
4,57 mm plastik
1,6
100(-2V'da)
OP169A
46
4,19 mm plastik
1,6
100(-2V'da)
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Oksit tabakaları LED
sistemi
p
Plastik
Au tel
p
N-GaAs-S i
N-GaAs
Şeffaf
(a)
Anot
N-GaAs
Metal temas
tabakaları
Katot
(b)
Şekil 2.32 Kızılötesi ışık yayan (IRED) diyotun
(a) yarıiletken yapısı, (b)fiziksel gösterimi
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
2.3.10. Lazer Diyot
•Birden fazla yarıiletken tabakalı
GaAlAs tipi
diyot olan lazer
diyotlarda, cevap verme süresi çok
kısadır. Al katkısının tümü aktif
bölgede bulunan diyotun yaydığı
ışınların dalga boyu 820-880nm
arasındadır.
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
фe Radyasyon
[mW] gücü
12
Bağlantı
şeridi
Oksit maske
10
p
tabaka
GaAs
8
Aktif
bölge
6
4
Işın çıkış
n tabaka alanı
2
Laser ışın
demeti
IA
0
0
(a)
(b)
100
200
300  mA
Şekil 2.33 Lazer diyodu (a)Yarıiletken yapısı, (b)Anot akımı-radyasyon
gücü özeğrisi
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
2.3.11. Tünel Diyodu (Tunnel Diode)
•Normal bir p-n eklem diyotunun uzay yükü
bölgesi, p ve n tabakalarındaki potansiyeller
arasında bir duvar görevi yapar. Yarıiletkende
normalde bulunan katkı yoğunluğu 10-8'den, 103'e arttırılırsa, yarıiletken özelliği değişerek tünel
diyotunda olduğu gibi, normalde 5 mikron
civarında olan duvar genişliği, katkı atomu
yoğunluğunun karekökü ile ters orantılı olarak
değişir. Tünel diyotu bu özellikleri taşıyan
yarıiletkenlerden oluşmuştur.
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
IA
K
Ip
IV
Vp
A
(a)
Rs
VV
VF
Ls
CJ
VA
-Rn
Tünel akımı
Katkı yük akımı
(b)
Toplam diyot akımı
(c)
Şekil 2.34 Tünel diyodu (a)sembolü, (b)iletim-kesim özeğrisi,
(c)negatif (-Rn) direnç bölgesinde küçük işaret eşdeğer devresi
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
2.4.TRANZİSTÖR
•Tranzistörler, iki amaçla kullanılan üç
uçlulardır. Bu amaçlardan biri anahtar
olarak kullanılması, diğeri ise yükseltici
görevi yapacak şekilde kullanılmasıdır.
•Anahtar uygulamaları güç elektroniğinde
önemli yer tutarlar. Diyot ve tranzistörler
tek yönlü bir anahtar kabul edilebilir.
Tranzistörün iki ucu, tek kutuplu anahtar
gibi çalışır. Üçüncü uç ise bu iki ucu
harekete geçirme, denetleme görevi yapar.
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
+
c
IC
VCB
+
b
IB
c
+ IC
VCE
+
VB E
e
(a)
IE
VCB
b IB
VEB
+
e
(b)
IE
(c)
Şekil 2.36 Bipolar tranzistör (a)npn, (b)pnp sembolleri, (c)fiziksel görünüşü
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Güç Elektroniği
Dr. Nurettin ABUT
Teşekkürler!!