ÖDEV#1

ELE 222: Elektroniğe Giriş
(Bahar-2008)
ÖDEV#1
Teslim Tarihi: 3 Mart 2008
1- n-bölgesinin katkılama konsantrasyonu, ND=1017 [1/cm3], p-bölgesi katkılama
konsantasyonu, NA=5 1018 [1/cm3] olan bir pn-jonksiyonunlu diyotun sert geçişli bir
jonksiyona sahip olduğunu kabul ederek, dengede, (Malzeme: Silikon; T=300o K)
(a)
(b)
(c)
(d)
(e)
(f)
n-bölgesindeki elektron konsantrasyonunu (nno),
n-bölgesindeki delik konsantrasyonunu (pno),
p-bölgesindeki delik konsantrasyonunu (ppo),
p-bölgesindeki elektron konsantrasyonunu (npo),
Jonksiyon potansiyel bariyerini (Vo),
ve fakir bölge genişliklerini (xn, xp, xd) hesaplayınız.
2- Şekildeki devrelerin (2.sayfa) girişine, genliği 12 V olan sinüs şeklinde bir gerilim
kaynağı [Vi(t)=12 sin(2π103t)] bağlanmıştır.
(a) Her bir devrenin çıkış gerilim şeklini girişe göre çiziniz.
(b) Her bir diyotan akacak olan maksimum akımı hesaplayınız.
•
•
•
•
•
İletim yönünde diyot uçlarındaki gerilim düşümü, VF = 0.7 V
Zener diyotları (BZX84C3 VOL) zener gerilimi, VZ = VZK = 3 V
Zener akımı, IZK = 1 mA
İletim yönünde zener uçlarında, iletm modundaki normal bir diyot kadar (VF = 0.7 V)
gerilim düşümü olur.
1N4001 için BV= 50 V; 1N4148 için BV=100 V
(c) Devlerin bilgisayarda simülasyonunu (OrCAD) yapınız.
Not:
•
•
•
•
•
•
Eğer verilen parçaları bulamıyorsanız, eşdeğerlerini kullanabilirsiniz.
OrCAD simülasyonlarında Transient Analiz yapılmalıdır.
Simülasyon grafiklerinde enaz 2 period (2 T=2 ms) gösterilmelidir.
OrCAD devre şemaları rapora ilave edilmelidir.
Hem el analizi hem de bilgisayar simülasyonları raporda sunulmalıdır.
OrCAD simülasyonlarında: kaynak ismi VSIN
Attributes den frekans, genlik, ve faz set edilmelidir (AC=0, DC=0).
Dr Ayhan Ozturk – Atilla Uygur ( 18/02/2008)
Istanbul
1
Teknik
Universitesi
ELE 222: Elektroniğe Giriş
(Bahar-2008)
R1
V1
T/2
+
1k
Vo1
D3
Vi
T/2
Vo1
t
t
D1N4001
R2
+
2.2k
V2
Vo2
Vo2
D4
t
D1N4001
R3
+
2.2k
V3
D5
D6
D1N4001
Vo3
Vo3
t
D1N4001
+
R4
Vo4
3
1k
Vo4
D7
V4
t
1
BZX84C3V0L
R5
+
Vo5
1
1k
3
BZX84C3V0L
3
D9
V5
Vo5
t
BZX84C3V0L
1
D8
ODEV#1
Title
Size
A
Date:
Dr Ayhan Ozturk – Atilla Uygur ( 18/02/2008)
Istanbul
Document Number
Rev
4
Dr Ayhan Ozturk - Atilla Uygur
Tuesday , February 21, 2006
Sheet
1
of
1
2
Teknik
Universitesi